KHg_4InSe_6的固相合成和性能研究

采用反应性熔盐法 ,在 5 5 0℃下合成KHg4InSe6。用扫描电子显微镜 (SEM)观察了该晶体的表观结构 ,该晶体为片状晶体。采用EPM 810Q电子探针显微分析仪对产物晶体进行元素定性定量测定 ,经EDS分析确定了化合物的原子数比为NK∶NHg∶NIn∶NSe≈ 1∶4∶1∶6 ,并用X射线粉末衍射 (XRD)证实该化合物为新晶体。经差热分析 ,该晶体在 30 0℃以下是稳定的。晶体的光吸收特性表明 ,该晶体具有 0 5eV的能隙 ,属于半导体。