KMgF_3晶体的生长研究

本文采用Bridgman方法生长了KMgF3 单晶。晶体生长参数 :在 1130℃、1.5× 10 5PaAr气氛条件下 ,以 4 .5mm/h的速度下降 ,下降结束后 ,以 1.5℃ /min的降温速度降温到室温 ,获得了直径 10mm ,长 4 0mm的单晶 ,测定了所获单晶的X射线粉末衍射图谱 ,讨论了真空条件与惰性气氛条件以及氧含量的控制对晶体生长的影响。

用Czochralski方法生长KMgF_3晶体的研究

先把KF和MgF2以1∶1摩尔比混合后在Ar气体环境中650℃的恒温下烧结成KMgF3化合物。然后仍在Ar气体环境中用Czochralski方法生长了KMgF3∶Cr2+、KMgF3∶Eu2+、KMgF3∶Sm2+等无色、透明的优质单晶体。并分析了能够成功地生长优质氟化物晶体的各个关键环节。

CF-(4)气氛中生长KMgF-(3)晶体的研究

为了获得高质量的 KMgF_3晶体,采用提拉法,在 CF_4气氛中进行了晶体生长。对生长过程中的挥发物和结晶余料进行了物相分析,并测试了晶体红外透射光谱。由测试结果可知,晶体生长过程中的主要挥发物为 KF,析晶率较大时的结晶余料中出现 MgF_2相,红外光谱中未出现 OH^-的吸收,但 COH 的吸收比较明显。结果表明,CF_4气氛有利于KMgF_3晶体生长过程中 H_2O 等氧源的消除,生长过程中有效地抑制 KF 的挥发并适当地补充 KF,是 KMgF_3晶体生长中不可忽略的问题。

KMgF_3:Sm^(2+):Li^+晶体的色心分析

利用提拉法多次生长了KMgF3∶Sm2+和KMgF3∶Sm2+∶Li+晶体;在KMgF3∶Sm2+晶体结构分析的基础上,通过测试和分析KMgF3∶Sm2+和KMgF3∶Sm2+∶Li+晶体的激发光谱、发射光谱以及衰减曲线,揭示了晶体的7F0→5D0激发光谱中,680～682 nm范围内未被揭示的一个激发峰的产生机理。最后得出结论该激发峰是由Li+引起的H A色心,此结论通过355 nm紫外光照射对光谱的影响进一步得到了确认。

基于第一性原理的KMgF_3晶体电子结构和光学性质研究

应用第一性原理研究了完整KMgF3晶体的态密度、介电函数、吸收光谱、复折射率和复数光电导谱.结果表明,介电函数虚部、吸收光谱、复折射率和复数光电导谱的峰值位置与KMgF3晶体的电子结构存在一一对应关系,它们都与KMgF3晶体的的电子结构有关.计算结果与实验结果相吻合.

KMgF_3晶体的色心和自陷态激子研究

应用从头计算方法对KMgF3离子晶体中的色心和自陷态激子 (STE)进行了模拟研究 .对包含F心的量子团簇进行几何结构优化 ,并计算了F心处于 1s基态和 2p激发态的Mulliken电荷分布 .模拟结果表明 ,F心周围的晶格弛豫较小 ,处于基态的F心电子主要局域在阴离子空位处 ,而处于激发态的F心电子波函数则比较扩展 .计算结果表明 ,VK 心移向邻近的间隙位置 ,但仍保持分子轴向与 [110 ]晶向平行 .自陷态激子的弛豫是分子轴向平移与转动的叠加 .计算得到的F心、VK 心的光学激发能及STE的发光能与实验符合得较好 .