3,5-二氯水杨醛缩-4-氨基安替比林Cu(Ⅱ)和Zn(Ⅱ)配合物的合成、晶体结构及抗肿瘤活性研究

利用3,5-二氯水杨醛与4-氨基安替比林,通过缩合反应,合成3,5-二氯水杨醛缩-4-氨基安替比林希夫碱配体(HL),配体与CuCl_(2)·2H_(2)O、Zn(Ac)_(2)·2H_(2)O,利用溶剂热反应合成两个新型的希夫碱配合物[CuL_(2)](配合物1)和[ZnL_(2)](配合物2)。对合成的配合物进行了红外光谱、热重分析、PXRD表征,用X射线单晶衍射确定了配体(HL)、配合物1和配合物2的分子结构,单晶衍射分析结果表明,配体(HL)晶体属于单斜晶系,空间群为P2_(1)/n,配合物1晶体属于单斜晶系,空间群为C2/c,配合物2晶体属于单斜晶系,空间群为P2_(1)/c,配合物1是四配位的四方形结构,配合物2是扭曲的六配位的八面体结构。MTT法检测了配体(HL)及配合物对3种人体肿瘤细胞株(MDA-MB-231、CNE-2Z、A-549)体外抗肿瘤活性。检测结果显示,配合物对癌细胞的抑制作用明显比配体好,配合物1对MDA-MB-231细胞和CNE-2Z细胞抗增殖活性最好,其IC_(50)值分别为(1.215±0.07)μmol/L、(4.417±0.28)μmol/L均低于顺铂IC_(50)值,配合物2对A-549细胞和MDA-MB-231细胞也表现出较好的抗增殖活性。

基于KNSBN∶Cu晶体的光折变联合变换相关器

给出基于 KNSBN∶ Cu晶体的光折变二波耦合联合变换相关器 ( TBJTC) .以KNSBN∶ Cu晶体作为平方律转换器 ,将强度较大且携带参考图象和待识别图象联合频谱的信号光波与一强度较弱的相干平面参考光波同时输入于 KNSBN∶ Cu晶体 ,通过光折变二波耦合过程的非线性能量转移 ,实现功率谱转换 ,进而实现相关识别 .理论分析和实验结果表明 ,除输入输出外 ,该光学相关器无需 CCD、L CLV等器件和相应的数字处理 ,是一个全光光学相关器 .

Cu∶KNSBN晶体自泵浦与互泵浦相位共轭共存特性的实验研究

利用 Cu∶KNSBN晶体 ,研究了在两束泵浦光对称入射的条件下 ,自泵浦与互泵浦相位共轭共存时相互竞争和相互影响的特性 ,以及共存时的相位共轭特性与两束泵浦光的入射位置、入射夹角和泵浦比之间的关系 。

光折变KNSBN掺Cu晶体的生长

用 Czochralski 技术生长了 A 位置非充满型 KNSBN 掺 Cu 晶体,提拉速度为4—8mm/h,转速为15—20r/min;沿提拉方向测量了温场分布,用氩离子激光器测量了晶体的高光折变性能。

Cu:KNSBN晶体生长及其光折变效应的研究

在KNSBN晶体中掺进CuO,采用硅钼棒作加热体,以Czochralsk i技术生长Cu:KNSBN晶体。以二波耦合光路,测试晶体的衍射效率和记录时间,计算折射率变化值Δn。Cu:KNSBN晶体的衍射效率,记录速度和折射率变化值皆高于Fe:L iNbO3晶体。尤其记录速度比Fe:L iNbO3晶体高一个数量级以上。测试Cu:KNSBN晶体位相共轭反射率R和自泵浦位相共轭反射率RC。Cu:KNSBN晶体的自泵浦位相共轭反射率RC值达到64%,是纯KNSBN晶体的二倍。以Cu:KNSBN晶体自泵浦位相共轭镜进行消畸变实验。实验结果表明:输出光波确系输入探测光波的位相共轭光波。

Cu∶KNSBN晶体光折变参量的温度特性研究

本文研究了 Cu∶KNSBN晶体光折变材料参量的温度特性 .用光折变理论分析了文献 6给出的 Cu∶KNSBN晶体两波耦合增益系数 Γ随 2 θ在不同温度下的变化关系 .得出了该晶体有效电荷密度 Neff,有效电光系数和电子 -空穴对抗因子乘积 Rreff随温度的变化关系 .

湿法刻蚀条件对TFT中Cu电极坡度角和均一性的影响及工艺参数优化

目的 在高世代薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)产线的栅极刻蚀制程,明确大气压等离子体(Atmosphere Pressure Plasma,APP)清洗功率、清洗时间及刻蚀时间对刻蚀性能(关键尺寸偏差、均一性、坡度角)的影响规律,并获得最佳工艺条件,进而提升良率。方法 以APP清洗功率、清洗时间和刻蚀时间为影响因素,以关键尺寸偏差(CD Bias)、均一性、坡度角作为因变量,开展正交试验,明确因素影响重要性顺序;然后,对Cu电极坡度角的形成和刻蚀均一性变化进行分析;最后,采用回归分析获得刻蚀性能与刻蚀时间的函数关系式。结果 结果表明:刻蚀时间对刻蚀性能的影响最大,对APP清洁时间和功率的影响较小。刻蚀时间延长,关键尺寸偏差(CD Bias)增加、均一性变差、坡度角变大。为改善均一性和平缓坡度角,应缩短刻蚀时间。最佳工艺组合为:刻蚀时间85 s,APP电压9 kV,APP传输速度5 400 r/min。结论 刻蚀时间延长,未被光刻胶覆盖的Cu膜层被完全刻蚀,形成台阶,该台阶使刻蚀液形成回流路径。沿着回流路径,刻蚀液浓度、温度逐渐下降,刻蚀均一性由此恶化,坡度角因此增加。采用回归分析得到的刻蚀性能与刻蚀时间的函数关系式,为预测刻蚀效果和优选刻蚀时间提供了依据。

具有单晶到单晶转化的Cu(Ⅰ)配合物的发光性质

选用2-(N,N-双(二苯基膦基甲基))胺基吡啶(bdppmapy)为膦配体、二吡啶并[3,2-a∶2',3'-c]吩嗪(dppz)为氮配体、[Cu(CH_(3)CN)_(4)]BF_(4)为铜盐,在常温下进行反应,制备了3种新型Cu(Ⅰ)配合物,分别为[Cu(dppz)(bdppmapy)]_(2)(BF_(4))_(2)·H_(2)O (Cu BF_(4)-1)、[Cu(dppz)(bdppmapy)]BF_(4)(Cu BF_(4)-2)和[Cu(dppz)(bdppmapy)]BF_(4)(Cu BF_(4)-3)。获得了Cu BF_(4)-1和Cu BF_(4)-3的单晶,发现了单晶到单晶转化过程的现象,并探究了溶剂分子的存在对配合物结构和光物理性能的影响。通过单晶X射线衍射确定配合物Cu BF_(4)-1和Cu BF_(4)-3的结构,使用粉末X射线衍射(PXRD)、红外光谱(IR)和核磁共振氢谱/磷谱(~1H/^(31)P NMR)对合成的3个配合物进行结构表征。对配合物进行紫外可见吸收光谱(UV-Vis)、荧光光谱、荧光寿命及量子产率等光物理性质的表征和分析,比较了配合物发光性质的差异,探讨了溶剂分子对配合物结构和光物理性质的影响规律。太赫兹时域光谱对配合物的研究提供了帮助。

Cu掺杂SnSe晶体生长及热电性能研究

利用坩埚下降法成功制备了具有标准Pnma空间群结构的Cu掺杂SnSe晶体,其尺寸为φ18 mm×55 mm,Cu元素在晶体中均匀分布。该晶体为P型半导体材料,电导率在600 K附近具有最低值4.53 S·cm^(-1),载流子浓度在830 K下达到1.69 cm×10^(19) cm,Seebeck系数最大值为739.5μV·K^(-1),出现在500 K附近。功率因子PF随温度升高始终增加,830 K下为4.80μW·cm^(-1)·K^(-2)。热电性能ZT在800 K附近达到最高值0.83,说明该晶体是一种潜在的中温区热电材料。

Mn-Cu阻尼合金时效过程中晶体结构的变化

研究了时效时间、时效温度对ZMnD - 1J四元锰铜合金阻尼性能的影响规律 ,进而借助X射线衍射仪 ,系统地研究了该合金时效过程的晶体结构变化规律。结果表明 :ZMnD 1J四元锰铜合金阻尼性能对时效温度非常敏感 ,阻尼性能只在一个很小的温度区间才能获得 ,在 4 30℃时效可获得最佳的阻尼性能 ;该合金阻尼性能对时效时间也非常敏感 ,最佳阻尼性能只在时效 2h才能获得 ;合金的阻尼性能与晶体结构有着密切的联系 ,只有面心正方的晶体结构才能赋予材料高阻尼特性 。

Ce:KNSBN晶体中调制光耦合研究

采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,在入射光调制下,研究了调制频率对Ce:KNSBN晶体两波耦合有效增益(G)的影响,结果显示G随调制频率的增大先增大后减小,但入射光波长不同时,G最大值对应的调制频率不同,入射光波长为632.8nm时,G最大值为20.2,对应的调制频率为100Hz;入射光波长为532nm时,G最大值为15.1,对应的调制频率为175Hz。同时研究了入射光参量对增益改善(Gm/Gf)及最佳调制频率的影响,结果显示不同入射光参量下增益改善及最佳调制频率不同,入射光波长为632.8nm时,增益改善最大为1.92,对应的最佳调制频率为100Hz;入射光波长为532nm时,增益改善最大为1.50,对应的最佳调制频率为150Hz。采用运动光栅理论对实验结果进行了解释。

Ce∶KNSBN晶体衍射特性研究

在非同时读出条件下测量了 Ce:KNSNB晶体两波耦合体光栅衍射效率随写入光强比、写入光偏振态和写入光夹角的变化关系 ,并与同时读出条件下衍射效率变化规律的测量结果进行了比较 ,发现二者基本一致 .利用耦合波理论对实验结果进行了理论分析和拟合 。

掺铜KNSBN光折变晶体的光致吸收特性

掺铜 KNSBN(钾钠铌酸锶钡 )光折变晶体具有光致吸收 ( LIA)特性 .实验表明 ,泵浦光的光强越强 ,波长越短 ,L IA系数就越大 ,探测光为 e偏振态时的 L IA系数是 o光时的1 .2倍 .

Ce:KNSBN光折变晶体两波耦合响应时间特性研究

在写入光分别为e光和o光时 ,实验测量了Ce :KNSBN晶体两波耦合响应时间与总写入光强、写入光强比和写入光夹角的关系 ,实验数据与理论拟合结果相吻合 ,并由晶体响应时间特性获得了晶体有效电光系数和有效光折变电荷密度参数。

Ce∶KNSBN晶体中光扇效应的响应时间特性研究

以单束光入射Ce:KNSBN晶体,系统研究了不同入射光波长下,Ce:KNSBN晶体中光扇效应的响应时间随入射光强度及光入射角的变化情况.结果显示,相同的入射光强度及光入射角下,入射光波长较短时,光扇效应到达稳态的时间较短.相同的入射光强度下,随光入射角的增大,响应时间先减小后增大,但不同波长入射光下,最小值对应的光入射角不同,入射光波长为532nm时,响应时间最小值对应的θ为15°;入射光波长为632.8nm时,对应的θ为15.5°.同时研究发现,入射光强度逐渐增大的过程中,响应时间在逐渐减小.

入射光调制对Ce：KNSBN晶体两波耦合的影响

研究了入射光调制条件下Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程.结果表明,入射光调制抑制了光扇噪音对Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程的影响,提高了透射信号光强度.同时研究了入射光光强比Ip/Is及入射光总光强Io对最佳调制频率及增益改善Gm/Gf的影响.结果显示,同一Io下,Ip/Is为100时,Gm/Gf到达峰值1.52,对应的最佳调制频率为150Hz;同一Ip/Is下,Io为57mW/cm2时,Gm/Gf最大为1.53,对应的最佳调制频率为175Hz.

LiNbO_3∶Cr∶Cu晶体吸收特性及非挥发全息存储研究

研究了LiNbO3∶Cr∶Cu晶体的吸收特性,发现LiNbO3∶Cr∶Cu(含0.14wt.%Cr2O3和0.011wt.%CuO)晶体存在两个明显的吸收峰,中心波长分别位于480nm和660nm;随着Cr的含量逐渐减小,Cu的含量逐渐增大,短波段不存在明显吸收峰,掺Cr的含量越大,中心波长在660nm处的吸收越大;633nm红光虽然位于中心波长为660nm的吸收峰内,但它无助于光折变过程·分别采用390nm紫外光和488nm蓝光作为敏化光,514nm绿光作为记录光的记录方案,实现了非挥发全息记录,掺入适量的Cr(比如NCr=2.795×1025m-3,NCr/NCu=1)有助于全息记录性能的提高·

非相干光对Ce∶KNSBN晶体两波耦合的影响研究

理论分析和实验研究了非相干光照射下Ce∶KNSBN晶体中的两波耦合 ,发现非相干光在很大范围内可有效地控制晶体中的两波耦合效应。实验结果和理论分析趋势相一致。

钛酸铅晶体中3种Cu^(2+)离子中心的电子顺磁共振研究

电子顺磁共振谱(EPR)参量对杂质离子局域结构极为敏感,对EPR参量的理论研究可以用来确定材料的离子占位和缺陷结构等。在晶体场理论基础上,采用高阶微扰方法,通过分析电子顺磁共振谱参量,确定了压电铁电材料PbTiO3晶体中3种Cu2+离子中心的局域结构。目前,对PbTiO3:Cu2+的EPR谱研究一般认为Cu2+离子在PbTiO3中只占据Ti4+位置。理论研究表明,除了传统认为的Cu2+离子占据Ti4+位置外,杂质Cu2+离子还可同时占据Pb2+位置,并给出了相应的缺陷结构。

同时测量Ce:KNSBN晶体两波耦合指数增益系数和吸收系数的一种方法

本文利用光折变晶体中双光束耦合的有关理论,提出了一种同时测量光折变晶体中双光束耦合指数增益系数和吸收系数的新方法,并用Ce:KNSBN晶体进行了实验研究.