Ce:KNSBN晶体二波耦合衍射效率的实验研究

本文对光折变晶体二波耦合的衍射问题进行了理论分析 ,并对Ce:KNSBN晶体前向二波耦合的衍射效率随入射光强比m的变化关系进行了实验观测。

Cu∶KNSBN晶体自泵浦与互泵浦相位共轭共存特性的实验研究

利用 Cu∶KNSBN晶体 ,研究了在两束泵浦光对称入射的条件下 ,自泵浦与互泵浦相位共轭共存时相互竞争和相互影响的特性 ,以及共存时的相位共轭特性与两束泵浦光的入射位置、入射夹角和泵浦比之间的关系 。

Ce:KNSBN晶体中调制光耦合研究

采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,在入射光调制下,研究了调制频率对Ce:KNSBN晶体两波耦合有效增益(G)的影响,结果显示G随调制频率的增大先增大后减小,但入射光波长不同时,G最大值对应的调制频率不同,入射光波长为632.8nm时,G最大值为20.2,对应的调制频率为100Hz;入射光波长为532nm时,G最大值为15.1,对应的调制频率为175Hz。同时研究了入射光参量对增益改善(Gm/Gf)及最佳调制频率的影响,结果显示不同入射光参量下增益改善及最佳调制频率不同,入射光波长为632.8nm时,增益改善最大为1.92,对应的最佳调制频率为100Hz;入射光波长为532nm时,增益改善最大为1.50,对应的最佳调制频率为150Hz。采用运动光栅理论对实验结果进行了解释。

Ce∶KNSBN晶体衍射特性研究

在非同时读出条件下测量了 Ce:KNSNB晶体两波耦合体光栅衍射效率随写入光强比、写入光偏振态和写入光夹角的变化关系 ,并与同时读出条件下衍射效率变化规律的测量结果进行了比较 ,发现二者基本一致 .利用耦合波理论对实验结果进行了理论分析和拟合 。

Ce∶KNSBN晶体中光扇效应的响应时间特性研究

以单束光入射Ce:KNSBN晶体,系统研究了不同入射光波长下,Ce:KNSBN晶体中光扇效应的响应时间随入射光强度及光入射角的变化情况.结果显示,相同的入射光强度及光入射角下,入射光波长较短时,光扇效应到达稳态的时间较短.相同的入射光强度下,随光入射角的增大,响应时间先减小后增大,但不同波长入射光下,最小值对应的光入射角不同,入射光波长为532nm时,响应时间最小值对应的θ为15°;入射光波长为632.8nm时,对应的θ为15.5°.同时研究发现,入射光强度逐渐增大的过程中,响应时间在逐渐减小.

入射光调制对Ce：KNSBN晶体两波耦合的影响

研究了入射光调制条件下Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程.结果表明,入射光调制抑制了光扇噪音对Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程的影响,提高了透射信号光强度.同时研究了入射光光强比Ip/Is及入射光总光强Io对最佳调制频率及增益改善Gm/Gf的影响.结果显示,同一Io下,Ip/Is为100时,Gm/Gf到达峰值1.52,对应的最佳调制频率为150Hz;同一Ip/Is下,Io为57mW/cm2时,Gm/Gf最大为1.53,对应的最佳调制频率为175Hz.

非相干光对Ce∶KNSBN晶体两波耦合的影响研究

理论分析和实验研究了非相干光照射下Ce∶KNSBN晶体中的两波耦合 ,发现非相干光在很大范围内可有效地控制晶体中的两波耦合效应。实验结果和理论分析趋势相一致。

同时测量Ce:KNSBN晶体两波耦合指数增益系数和吸收系数的一种方法

本文利用光折变晶体中双光束耦合的有关理论,提出了一种同时测量光折变晶体中双光束耦合指数增益系数和吸收系数的新方法,并用Ce:KNSBN晶体进行了实验研究.

Ce:KNSBN晶体两波耦合动态过程研究

本文在非同时读出条件下,采用实时数据采集系统,实验研究了e偏振光写入Ce:KNSBN晶体两波耦合动态过程,发现不同的写入光强比和写入总光强对晶体中两波耦合过程产生明显的影响;当He-Ne 632.8nm激光通过Ce:KNSBN晶体时,光扇效应存在明显的写入光强阈值特性,其阈值约为20mW/cm^2。依据实验结果对考虑光扇影响的耦合波方程进行了修正,其数值计算与实验结果基本符合。

Cr:KNSBN晶体两波耦合及其图像存储

本文以He-Ne 632.8nm激光为写入光,在非同时读出条件下,实验研究了e偏振光写入Cr:KNSBN晶体两波耦合过程中信号光和泵浦光的透射光强随时间的变化,以及单束泵浦光的透射光强随时间的变化,实验结果表明,泵浦光损失的能量几乎全部转移到了信号光方向,基本不存在散射光;并以二值化图像作为物在晶体内进行了图像存储实验,其再现图像清晰,信噪比高,没有观察到扇形光的影响。

Ce:KNSBN晶体正交偏振写入光两波耦合特性

研究了Ce :KNSBN晶体在正交偏振光记录条件下体光栅的两波耦合特性 .实验测量了两波耦合增益系数随泵浦光偏振方向与入射面夹角 φ的变化规律 ,当夹角 φ等于 2 0°或 16 0°时 ,光栅具有最大耦合增益系数 .给出了增益系数随夹角 φ变化规律的数值计算结果 .数值计算结果与实验测量结果较好地吻合 .

入射光参量对Ce：KNSBN晶体中光扇效应的影响

采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,研究了入射光强度及光入射角对Ce∶KNSBN晶体中光扇效应的影响.结果表明,光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性,入射光强度阈值为38.2mW/cm2.对应相同的入射光强度,光入射角θ为15°时稳态光扇强度Ifsat最强,如:入射光强度为38.2mW/cm2时,Ifsat最大为0.7mW/cm2;入射光强度为57.3mW/cm2时,Ifsat最大为1.8mW/cm2.

Cu∶KNSBN晶体光折变参量的温度特性研究

本文研究了 Cu∶KNSBN晶体光折变材料参量的温度特性 .用光折变理论分析了文献 6给出的 Cu∶KNSBN晶体两波耦合增益系数 Γ随 2 θ在不同温度下的变化关系 .得出了该晶体有效电荷密度 Neff,有效电光系数和电子 -空穴对抗因子乘积 Rreff随温度的变化关系 .

Ce∶KNSBN晶体写入光位置对两波耦合增益的影响

本文采用非同时读出条件下两波耦合实验装置,以532 nm的单频固体激光器为光源,在不同写入光夹角θ、抽运光的偏振方向与e偏振光的方向呈10°、信号光为e偏振光及不同信号光与抽运光光强比条件下,通过改变写入光在Ce∶KNSBN晶体内的不同位置研究其对两波耦合有效增益的影响。研究结果表明,在相同角度下写入光强比为1∶10,写入光在晶体内位置d=0.1 cm时最佳,有效增益达到最大。在最佳写入光位置,写入光强比为1∶10时,在写入光夹角为24°时两波耦合有效增益为最大。并对实验结果进行了理论拟合与分析。

Mn:KNSBN晶体相位共轭特性的研究

报道掺Mn的KNSBN晶体内四波混频后向相位共轭光的特性。相位共轭光的稳定性和相位共轭反射率随入射光的偏振组态而变化。记录光束的弱耦合及折射率光栅的竞争,使相位共轭光趋于不稳定。

入射光强比对Ce∶KNSBN晶体两波耦合特性影响的研究

实验测量了 Ce∶KNSBN双光束耦合信号光有效增益 G随入射光强比 m的变化关系 .用中间段光折变理论对此变化关系进行了参量理论分析 .结果表明 。

双掺(V,Cr):KNSBN晶体光诱导吸收研究

成功地生长、制备出了双掺 (V ,Cr)钾钠铌酸锶钡晶体样品 .测量了不同光强和光偏振下的光诱导吸收变化 .实验结果显示 ,双掺 (V ,Cr)钾钠铌酸锶钡晶体具有很高的光诱导吸收系数 ,其值高达 3cm- 1 ,且光诱导吸收依赖于泵浦束光强和探测束光偏振 .对实验结果用两中心电荷传输模型进行了解释 .

Cu:KNSBN晶体生长及其光折变效应的研究

在KNSBN晶体中掺进CuO,采用硅钼棒作加热体,以Czochralsk i技术生长Cu:KNSBN晶体。以二波耦合光路,测试晶体的衍射效率和记录时间,计算折射率变化值Δn。Cu:KNSBN晶体的衍射效率,记录速度和折射率变化值皆高于Fe:L iNbO3晶体。尤其记录速度比Fe:L iNbO3晶体高一个数量级以上。测试Cu:KNSBN晶体位相共轭反射率R和自泵浦位相共轭反射率RC。Cu:KNSBN晶体的自泵浦位相共轭反射率RC值达到64%,是纯KNSBN晶体的二倍。以Cu:KNSBN晶体自泵浦位相共轭镜进行消畸变实验。实验结果表明:输出光波确系输入探测光波的位相共轭光波。

Ce∶Eu∶KNSBN晶体位相共轭效应的研究

在KNSBN晶体中掺进CeO2 和Eu2 O3,以硅钼棒作加热体 ,利用Czochralski法生长Ce∶Eu∶KNSBN晶体。测试 18°切和 0°切晶体的自泵浦位相共轭反射率和响应时间 ,18°切的样品自泵浦位相共轭性能优于 0°切的样品。采用自泵浦位相共轭镜 ,In∶Fe∶LiNbO3晶体作为存储介质 。

Ce:KNSBN晶体两波耦合特性研究

研究了Ce:KNSBN晶体两波耦合增益系数Γ与2θ的关系,并对Ce:KNSBN单晶样品进行了两波耦合测量,用光折变理论拟合实验结果,求出了该晶体有效光折变电荷密度,有效电光泵数和电子—空穴对抗率数值。实验与理论符合完好。