各种气氛下KRS-5单晶生长和多晶光纤的研制

在空气、流通氩气和Ar+I_2混合气体等气氛条件下生长出KRS-5单晶,检查了晶体中的散射,分析了晶体中金属杂质和氧含量。用加热挤压法研制成功KRS-5多晶光纤,对光纤的稳定性和损耗作了讨论。

固溶体晶体中溶质的分布规律——Ⅱ.溴化铊在逐区溶化法生长 KRS-5晶体中的分布

本文研究逐区熔化法生长固熔体晶体 KRS-5时生长条件对晶体中次要成分 T1Br 分布的影响。实验结果表明:熔区长度 l 影响晶体中 T1Br 的有效分凝系数 K_6;晶体的生长速度范围内,T1Br 的原始浓度 C_o=0.420mol 的情况下,K_6=K_o′+0.0015L;熔区移动速度对 T1Br 分布的影响类似于正常凝固法:K_6=K_o′+0.008v;在 T1Br 原始浓度不变的情况下(C_o=0.420m0l),正常凝固生长和区熔法生长的平衡分凝系数K_6′相同。

原料纯度对KRS-5晶体红外性质的影响

本文研究KRS-5晶体中各类杂质的来源及其对晶体红外性能的影响。用萃取光谱法测定晶体及其原料中的阳离子杂质,用浊度分析法测定SO_4^(2-)阴离子杂质。实验表明:KRS-5晶体中的杂质主要来自于原料,ppm级的阳、阴离子杂质对晶片的红外透光性能无太明显的影响;而晶体中20ppm的SO_4^(2-)杂质产生明显的杂质吸收。晶体中Br^-/I^-的化学分析和红外性能测定表明:晶头的Br^-/I^-略低于晶尾,而红外透过率却略高于晶尾。

KRS-5单晶光纤的研制

在TlBr与T11混晶制成多晶KRS-5光纤的基础上,用特殊方法制成单晶KRS-5光纤,克服了热压多晶光纤表面存在的晶粒间界、划痕包裹休等增加传能损耗的缺陷。本文报道了研制单晶KRS-5光纤的实验和光纤形貌电镜观测结果,并进行了分析讨论。