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偏压电极对KT-5C装置等离子体边缘的影响
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作者 王之江 王成 +6 位作者 潘阁生 闻一之 万树德 俞昌旋 孙玄 王俊 陆荣华 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期49-53,共5页
通过电极偏压来控制KT 5C装置边缘区等离子体的径向电场 ,发现在正偏压作用下 ,径向电场剖面由小的负阱状变成明显的山包结构 ,从而形成一个加强的E×B剪切层。剪切层附近的等离子体参数变陡 ,不仅等离子体极向流速度大大增加 ,而... 通过电极偏压来控制KT 5C装置边缘区等离子体的径向电场 ,发现在正偏压作用下 ,径向电场剖面由小的负阱状变成明显的山包结构 ,从而形成一个加强的E×B剪切层。剪切层附近的等离子体参数变陡 ,不仅等离子体极向流速度大大增加 ,而且其方向也由沿电子逆磁漂移方向改变为离子的逆磁漂移方向。这些变化导致等离子体边界横向输运被抑制。 展开更多
关键词 偏压电极 极向流速度 环向电流 磁约束装置 等离子体 kt-5c装置 径向电场
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