KTN凝胶热处理过程中的反应机理研究

本文研究了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备的ＫＴａ０．６５Ｎｂ０．３５Ｏ３（ＫＴＮ）凝胶在热处理过程中的反应机理，发现钙钛矿结构的ＫＴＮ由四步反应生成：５４２℃生成Ｋ３Ｔａ５Ｏ１４·５Ｈ２Ｏ，５９３℃生成Ｋ５Ｎｂ２Ｏ６（Ｏ，ＯＨ）·ｎＨ２Ｏ（ａＯ＝１０．５８４Ａ）；此两相为立方烧绿石结构，６２０℃未经中间相直接生成ＫＴＮ，６８０℃两种烧绿石结构反应生成ＫＴＮ．凝胶中的有机成分依次挥发、炭化和氧化，７００℃左右结晶水和有机成分基本上失去，但粉料会吸收ＣＯ２形成微量碳酸盐并吸收微量水分．用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法在较低温度下合成了ＫＴＮ超微粉（粒径０．０５·０．１５μｍ）．

立方相掺铜 KTN 晶体的生长和光折变性能

本文报道了用熔盐提拉法成功地生长大尺寸掺铜 KTN 晶体的方法以及立方相 KTN∶Cu晶体的全息存储实验结果。在施加电场时,KTN∶Cu 晶体的全息存储衍射效率达到:52%,计算所得的动态范围和存储灵敏度分别为2.33×10^(-5)和5×10^(-6)cm^2/J,实验结果表明,电子为主要载流子。

高取向 KTN 薄膜的 PLD 法制备研究

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法自制了ＫＴＮ陶瓷，以之为靶材，首次在单晶硅上用ＰＬＤ技术沉积了ＫＴＮ薄膜，并对所制备的薄膜进行了ＸＲＤ和ＳＥＭ分析及Ｐ－Ｅ电滞回线观察．观察分析结果表明：薄膜的主晶相为钙钛矿相（约９８％），且沿（１００）方向取向生长；薄膜表面光滑、无裂纹、致密性好；薄膜具有良好的铁电性质．同时还分析了Ｓｉ（１００）单晶衬底上钙钛矿相的形成机理；并讨论了衬底温度Ｔｓ和氧气氛等因素对成膜的影响．

透明KTN薄膜的PLD法制备及其铁电性能研究

用Sol Gel法制备KTN多晶粉末,在富氧气氛下烧结富钾KTN陶瓷,代替KTN单晶作为靶材,用PLD技术结合后期退火技术,在透明石英单晶(100)上制备出高取向的透明KTN薄膜,对薄膜厚度、折射率、伏～安(I～V)特性、介电特性进行了测试与分析.I～V特性表明,低电场强度下,I～V服从欧姆定律,高电场强度下,I～V服从平方关系,可用空间电荷限制电流模型解释.电容～测试电场频率(C～F)特性表明,低频电容色散大,高频色散小,10kHz时介电常数为12600.

脉冲激光沉积KTN薄膜动力学过程模拟

根据流体力学理论 ,对脉冲激光沉积KTN薄膜的动力学过程进行了模拟 ,讨论了激光沉积的KTN薄膜厚度分布随基片位置的变化规律 .结果表明 ,等离子体在膨胀过程中会形成垂直靶表面的等离子体羽辉 ,当激光束的位置和方向不变时 ,KTN薄膜的厚度分布不均匀 ,呈现类高斯分布形状 。

均匀KTN晶体的铁电性质与相变

用熔盐提拉法培育出钽铌分布均匀的KTa_(1-x)Nb_xO_3(KTN)单晶;在±150℃范围内测量了x=0.32,0.35,0.37的KTN晶体的相对介电常数、介质损耗、热释电系数和自发极化强度;分析了该晶体的铁电相变特点。结果表明,在两个铁电·铁电相变温度下,上述三种组分的KTN晶体的介电常数和自发极化强度具有完全类似于BaTiO_3单晶的突变行为和变化规律,x=0.37的KTN晶体的铁电相变接近于一级相变,而铌含量较低的两种晶体已开始出现二级相变的某些特征。

组分非梯度KTN热释电薄膜的制备及其性能研究

为使KTN热释电薄膜能够在较宽的温度范围内有较高的热释电系数,本文在Pt/Ti/SiO2/Si基片上采用Sol-Gel法制备了两种多组分成分非梯度分布的KTN热释电薄膜.用XRD分析了薄膜的晶相结构,并研究了其铁电、介电和热释电性能.结果表明,两种薄膜均具有钙钛矿型结构,且均可观察到典型的电滞回线.在100kHz频率下,Ⅰ型薄膜在16～43℃,εr=332,tg δ=0.21,14～46℃平均热释电系数为3.246×10-4C/(cm2·K),计算所得Fv=3.58×10-7C·cm/J,Fd=1.42×10-5C·cm/J,Ⅱ型薄膜在17～46℃,εr=987,tgδ=0.18,14～44℃平均热释电系数为2.797×10-4C/(cm2·K),电压响应优值为1.04×10-7C·cm/J,探测度优值为7.69×10-6C·cm/J.

四方相KTN纳米粉体的水热合成及机理

采用传统的水热法和混合溶剂热法制备了高纯的四方相KTN纳米粉体KTa0.3Nb0.7O3.研究表明,水热法中影响粉体结构的关键因素是KOH的浓度,而混合溶剂热法中影响粉体结构的关键因素则为溶剂组分.随着晶粒尺寸增大,钽铌酸钾发生三方-四方相变.该结果显示,由于异丙醇处于超临界状态,混合溶剂热法在更温和的条件下有效合成铁电钽铌酸钾材料.

基片和底电极对KTN薄膜结构与取向的影响

研究了用溶胶 -凝胶 ( Sol- Gel)法在不同基片和底电极上制备 KTN薄膜的结构 ,发现基片和底电极的结构及化学稳定性直接影响到 KTN薄膜的生成和结构。详细讨论了在 Mg O( 1 0 0 )、Si( 1 0 0 )、Si O2 、Pt/Si、Sn O2( Sb) /Si O2 等基片与底电极上不能制得纯钙钛矿 KTN薄膜的原因 ,对于不与 KTN发生反应的基片 ,当基片的结构、晶格常数等与钙钛矿 KTN越匹配 ,越有利于 KTN的取向生长 ,并在 Sr Ti O3( 1 0 0、1 1 1 )基片上制得纯钙钛矿、高取向甚至外延的 KTN薄膜。

驱动结合蛋白KTN1在肝细胞癌中的作用

驱动结合蛋白(kinectin,KTN1)是一种内质网膜蛋白,研究证实KTN1的表达与多种肿瘤发生密切相关,但KTN1在肝细胞癌(HCC)组织中的表达及作用机制尚不清楚。本研究采用Meta分析多个数据集并结合临床组织样本验证,共同检测分析了KTN1在HCC组织中mRNA表达水平。利用CRISPR/Cas9基因编辑技术构建了肝癌细胞株Huh7KTN1基因稳定敲除细胞株,并通过细胞行为学相关实验初步了解KTN1在肝癌细胞中的功能。

基于Label-free技术的肝癌相关抗原KTN1蛋白质组学研究

目的:鉴定肝癌相关抗原KTN1相互作用蛋白,旨在筛选出与KTN1相结合的重要蛋白,为进一步研究KTN1在肝细胞癌(HCC)中发挥生物学功能的机制提供实验依据。方法:选取HCC细胞株Huh7、HepG2和正常肝细胞株WRL68为实验对象。RIPA法提取各组细胞的总蛋白,考马斯亮蓝染色鉴定蛋白质提取效果,Co-IP实验下拉KTN1蛋白结合蛋白并用Western blotting和蛋白质银染鉴定下拉效果。利用label-free技术对下拉蛋白质进行鉴定,采用ProteinPilot软件分析质谱的结果,采用Skyline软件对蛋白质进行定性和定量分析。利用生物信息学数据库对富集的蛋白质进行GO功能注释和KEGG通路注释分析。结果:考马斯亮蓝染色显示3种细胞的蛋白条带清晰可见。Western blotting和蛋白质银染鉴定Co-IP实验下拉的蛋白中可见KTN1蛋白条带,各组Co-IP富集后均可见10个以上的条带,而阴性对照IgG的泳道则没有蛋白条带或者极少的蛋白条带。Label-free技术共鉴定出29种KTN1结合蛋白,其中H2B1L、IGHG2、VSXL2、RS18、H32、SHRM3、CALL5、SIK3等8种蛋白仅在HCC细胞系Huh7样本中检出。GO分析显示Huh7细胞株中下拉20种KTN1结合蛋白富集于14个生物过程、11个细胞组分和7种分子功能。KEGG通路注释显示这20种蛋白主要富集于Alcoholism和Systemic lupus erythematosus两个通路。结论:在肝细胞癌株Huh7中鉴定出了20种KTN1蛋白结合蛋白,其中H2B1L、IGHG2、VSXL2可能共同参与了KTN1在HCC中的生物学作用。

KTN晶体在高压直流电场下的介电退化与着色现象

介电陶瓷或晶体在高压直流电场作用下电导率将会升高，长时间的高压直流电场作用将最终导致电击穿，这就是所谓的介电退化现象。而对于某些介电晶体，在直流电场作用下，可导致晶体变黑不透明。这些都严重影响了材料的应用。本文报道四方相钽铌酸钾（ＫＴＮ）晶体在直流高压电场作用下介电退化与着色的实验结果，并对其机理进行讨论。本文的实验装置是对浸泡在硅油中的四方相掺铁ＫＴＮ晶体样品施加高压电场，在测试其电导率变化的同时观察颜色变化。主要实验结果如下：（１）尽管大多数样品，其电导率在极化过程中都会升高，但是初始电导率较低的样品变化幅度较小，经较长时间的高压极化也不会出现着色及击穿现象。这类晶体利于实用。（２）初始电导率较高的晶体适于本实验的观察和研究。晶体在施加高压电场后，其极化电流持续升高。一定时间以后，靠近正极一端的晶体变黑，黑色区域逐渐向负极推移。随极化电流的增大，晶体往往会在整个区域变黑以前被击穿。（３）在施加高压电场一定时间后将其撤掉，立即检测晶体的电导率变化，发现晶体电导率在停止施加电场后，迅速降低到一饱和值。但该值仍高于初始值。这表明，在极化过程中晶体电导率的升高，既包含电致升高的因素，又包含热致升高的因素。（４）?

正交相KTN晶体的生长和性质研究

正交相ＫＴＮ晶体的生长和性质研究魏景谦王继扬潘月生管庆才刘耀岗蒋民华（山东大学晶体材料国家重点实验室，济南２５０１００）ＧｒｏｗｔｈａｎｄＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＯｒｔｈｏｒｈｏｍｂｉｃＫＴＮＣｒｙｓｔａｌｓＷｅｉＪｉｎｇｑｉａｎＷａｎｇ...

Sol-Gel法制备KTN薄膜的结构和形貌研究(英文)

本文用XRD和SEM等分析测试手段，详细研究了Sol－Gel法不同工艺过程制得KTN薄膜样品的结构和形貌。发现KTN薄膜的结构和形貌主要受热处理工艺的烧结温度、升降温速率、烧结气氛等影响，详细分析讨论了产生这些影响的原因。在SrTiO3（100，111）基片上制备出了高取向、纯钙钛矿结构、表面形貌良好的KTN薄膜。

KTN的核磁共振研究

研究了掺Ｎｂ浓度为０．１５的ＫＴＮ晶体中１８１Ｔａ和９３Ｎｂ的核磁共振信号的线宽和（积分）强度对温度的依赖性。通过两种核的信息分析，我们观察到在１２０Ｋ－２３０Ｋ之间晶体发生二次相交，而且发现两种核的共振线的展宽起源是不同的。我们也把１８１Ｔａ的信号与两种标定纯的ＫＴａＯ３晶体的相应信号作了比较，发现“消除”效应都存在。

sol-gel法制备KTN薄膜厚度及均匀性控制

利用干涉法、扫描电子显微镜 (SEM)、 X射线衍射 (XRD)等方法分析 sol- gel法制备的 KTN (钽铌酸钾 )薄膜 ,详细分析讨论 gel膜制备及热处理过程各因素对薄膜厚度及均匀性的影响。结果表明控制 gel膜厚度及均匀性的关键是根据溶液黏度的变化及时调整匀胶转速、热处理过程中用低的升降温速度和通氧 ,整个工艺控制容易、重复性好。最终制出的薄膜为表面晶粒大小均匀、排列紧密、厚度一致、纯钙钛矿结构、高取向的KTN薄膜。

用Sol-Gel法制备粉料及KTN陶瓷烧结研究

研究了用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备粉料和气氛烧结ＫＴＮ陶瓷的优化工艺．通过分析烧结气氛和烧结条件对ＫＴＮ陶瓷性能的影响，指出相应的最佳烧结温度为１２００℃、保温时间为８７ｈ．

KTN晶体中新的光折变现象

自光折变效应出现以来,许多科学家在这一领域进行了大量的研究,提出了一些模型对光折变现象进行了解释,最有代表性的是苏联科学家Kukhtarey等人提出的单个载流子和单个光折变中心的带传输模型,尽管带传输模型在解释部分光折变效应有成功之处,但仍不能对某些光折变现象进行令人满意的解释。

基于傅里叶变换条纹相位法对KTN晶体二次电光系数测量的探究

基于在三维形貌测量中广泛使用的傅里叶变换轮廓法，提出了一种测量KTN晶体二次电光系数的新的方法，并设计了基于麦克尔逊干涉的实验平台，进行了多次试验，得到了KTN晶体二次电光系数张量矩阵三个独立分量中的确定值。

KTN：Fe自泵浦位相共轭特性及其不同机制的转换

ＫＴＮ：Ｆｅ自泵浦位相共轭特性及其不同机制的转换廉英武，高宏，窦硕星，叶佩弦（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）管庆才，王继杨（山东大学晶体所，济南２５０１００）自泵浦相位共轭是光折变材料最重要的效应之一，在光信息处理、光通信和激光器件等方面有...