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Growth Defects in Cubic KTa_(1-x)Nb_xO_3 Crystal 被引量:1
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作者 王旭平 王继扬 +2 位作者 吴剑 于永贵 张怀金 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第3期261-266,共6页
Potassium tantalate niobate (KTa1-xNbxO3, KTN) crystals with different dimensions and quality situations were grown by Czochralski method. Crystal growth process and morphology properties of KTN are presented in thi... Potassium tantalate niobate (KTa1-xNbxO3, KTN) crystals with different dimensions and quality situations were grown by Czochralski method. Crystal growth process and morphology properties of KTN are presented in this paper. It was found that some defects, such as bubble, inclusion, crack, dislocation etc., can all appear if the crystal is grown in an improper condition. The character and formation mechanism of such defects in macro growth are discussed. We consider that the CO2, which was not released absolutely during the sintering process and dissolved in the melt, led to bubbles. The composition of the inclusion caused by high pulling and rotation rates is KTN polycrystalline. The crack and dislocation in KTN crystal mainly come from improper temperature field. Etching and high-resolution X-ray diffraction (HRXRD) experiment results indicate that the central area is the defects concentrated. 展开更多
关键词 potassium tantalate niobate kta1-xnbxo3 KTN) crystal growth czochralskimethod HRXRD growth defect etching
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提拉法生长立方相KTa_(1-x)Nb_xO_3晶体 被引量:2
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作者 王旭平 王继扬 +3 位作者 于永贵 李静 张建秀 赵洪阳 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期841-845,共5页
报道了用提拉法在KNbO3-KTaO3固熔体体系中生长立方相KTa1-xNbxO3晶体。实验采用两种不同的原始配料生长晶体:即生长组分分别为KNbO3∶KTaO3(摩尔分数)=0.35∶0.65和0.45∶0.55,分别得到x=0.14和0.19的KTN晶体,晶体尺寸可达厘米级。分... 报道了用提拉法在KNbO3-KTaO3固熔体体系中生长立方相KTa1-xNbxO3晶体。实验采用两种不同的原始配料生长晶体:即生长组分分别为KNbO3∶KTaO3(摩尔分数)=0.35∶0.65和0.45∶0.55,分别得到x=0.14和0.19的KTN晶体,晶体尺寸可达厘米级。分析了晶体的形态特征和宏观缺陷并讨论了各种缺陷的形成机制;利用JXA-8800电子探针技术测定了晶体组分;讨论了影响晶体生长的多种条件,发现温场和提拉速度是影响KTN晶体生长和质量的主要因素。 展开更多
关键词 钽铌酸钾 晶体生长 提拉法
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KTa_(1-x)Nb_xO_3三组分复合热释电薄膜的制备与性能研究 被引量:2
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作者 吴会光 王世敏 +1 位作者 傅晶 张刚升 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期482-485,共4页
利用多组分复合宽化铁电相变温区 ,使薄膜以高的热释电系数出现在较宽的温度范围。在BaTiO3/Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上用溶胶 -凝胶法制备了 0 .5 μmKTa1 -x NbxO3(x =0 .45 ,0 .5 0 ,0 .5 5 )三组分等厚度的复合薄膜。 0 .5 μmKTN -0 .0 ... 利用多组分复合宽化铁电相变温区 ,使薄膜以高的热释电系数出现在较宽的温度范围。在BaTiO3/Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上用溶胶 -凝胶法制备了 0 .5 μmKTa1 -x NbxO3(x =0 .45 ,0 .5 0 ,0 .5 5 )三组分等厚度的复合薄膜。 0 .5 μmKTN -0 .0 8μmBT薄膜在 2 8~ 72℃温度范围内 ,1.0kHz时 ,其εr=110 0 ,tanδ =1.2 %。在室温及 12 0kV/cm下极化 3 0min后 ,0 .5 μm复合薄膜在 2 8~72℃温度范围内热释电系数出现峰值 ,平均热释电系数 p =2 .7× 10 - 6 C/cm2 ·K ,电压响应优值Fv=8.99× 10 - 1 0 C·cm/J ,探测度优值Fd=2 7.0× 10 - 8C·cm/J,该薄膜工作温度范围很宽 ,是一种优异的热释电材料。 展开更多
关键词 kta1-xnbxo3 三组分 复合热释电薄膜 制备 性能 钽铌酸钾 热释电性能
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KTa_(1-x)Nb_xO_3晶体生长固/液边界层结构的微区研究 被引量:2
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作者 周文平 万松明 +3 位作者 张庆礼 殷绍唐 尤静林 王媛媛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期5085-5090,共6页
测量了KTa1-xNbxO3(KTN)晶体在常温和高温下的Raman光谱;实时测量了晶体生长过程中,固/液边界层内以及边界层两侧的晶体和熔体的高温显微Raman光谱.通过光谱分析获得了KTN晶体生长固/液边界层内的结构特征,以及晶体生长基元从熔体结构... 测量了KTa1-xNbxO3(KTN)晶体在常温和高温下的Raman光谱;实时测量了晶体生长过程中,固/液边界层内以及边界层两侧的晶体和熔体的高温显微Raman光谱.通过光谱分析获得了KTN晶体生长固/液边界层内的结构特征,以及晶体生长基元从熔体结构经边界层过渡到晶体结构的变化规律.研究表明,KTN熔体中的[Ta/NbO3]结构基团进入到生长边界层后逐步转化为[Ta/NbO6]八面体结构基团,已具有KTN单胞的一些特征.进而讨论了以[Ta/NbO6]八面体为生长基元的KTN晶体有(100),(100),(010)和(010)晶面容易显露的生长习性,发现KTN晶体生长固/液边界层厚度约为80—90μm. 展开更多
关键词 kta1-xnbxo3晶体 固/液边界层 高温Raman光谱 实时测量
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KTa_(1-x)Nb_xO_3:Cu晶体中直流空间电荷场的进一步研究
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作者 杨昌喜 廉英武 +2 位作者 叶佩弦 管庆才 王断扬 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第5期461-465,共5页
分别用扩束光和一束写入光对KTa_(1-x)Nb_xO_3:Cu(X=0.32)晶体中的光折变栅进行擦洗,通过不同的擦洗效果,进一步论证了在写入过程中除了形成周期分布的空间电荷场之外,同时还形成了直流空间电荷场.并对直流空间电荷场被擦洗的动态过程... 分别用扩束光和一束写入光对KTa_(1-x)Nb_xO_3:Cu(X=0.32)晶体中的光折变栅进行擦洗,通过不同的擦洗效果,进一步论证了在写入过程中除了形成周期分布的空间电荷场之外,同时还形成了直流空间电荷场.并对直流空间电荷场被擦洗的动态过程进行了详细研究.此外,在写入之前利用一束均匀光照射在外加电场作用下的KTa_(1-x)Nb_xO_3:Cu晶体,研究了直流空间电荷场的形成对衍射信号强度的影响. 展开更多
关键词 光折变效应 晶体 电光效应 铌酸盐
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基于γ_(51)的电光调制器的可行性研究 被引量:1
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作者 周幼华 顾豪爽 《武汉大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期79-82,共4页
通过对不同晶系线性电光系数矩阵的分析计算,研究了利用晶体电光系数γ51实现电光调制的可能性.结果分析表明,在电场中的γ51引起折射率的变化与x方向电场强度E12成正比;利用KTa0.35Nb0.65O3晶体的巨大γ51参数引起的二次电光效应,可以... 通过对不同晶系线性电光系数矩阵的分析计算,研究了利用晶体电光系数γ51实现电光调制的可能性.结果分析表明,在电场中的γ51引起折射率的变化与x方向电场强度E12成正比;利用KTa0.35Nb0.65O3晶体的巨大γ51参数引起的二次电光效应,可以获得较低的半波电压;在立方-四方相变点附近的KTa1-xNbxO3晶体有极大克尔系数的现象,同时γ51参数电光效应也得到了解释. 展开更多
关键词 电光调制器 晶体电光系数γ51 电光晶体 钽铌酸钾
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