期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
KTa_(1-x)Nb_xO_3三组分复合热释电薄膜的制备与性能研究 被引量:2
1
作者 吴会光 王世敏 +1 位作者 傅晶 张刚升 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期482-485,共4页
利用多组分复合宽化铁电相变温区 ,使薄膜以高的热释电系数出现在较宽的温度范围。在BaTiO3/Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上用溶胶 -凝胶法制备了 0 .5 μmKTa1 -x NbxO3(x =0 .45 ,0 .5 0 ,0 .5 5 )三组分等厚度的复合薄膜。 0 .5 μmKTN -0 .0 ... 利用多组分复合宽化铁电相变温区 ,使薄膜以高的热释电系数出现在较宽的温度范围。在BaTiO3/Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上用溶胶 -凝胶法制备了 0 .5 μmKTa1 -x NbxO3(x =0 .45 ,0 .5 0 ,0 .5 5 )三组分等厚度的复合薄膜。 0 .5 μmKTN -0 .0 8μmBT薄膜在 2 8~ 72℃温度范围内 ,1.0kHz时 ,其εr=110 0 ,tanδ =1.2 %。在室温及 12 0kV/cm下极化 3 0min后 ,0 .5 μm复合薄膜在 2 8~72℃温度范围内热释电系数出现峰值 ,平均热释电系数 p =2 .7× 10 - 6 C/cm2 ·K ,电压响应优值Fv=8.99× 10 - 1 0 C·cm/J ,探测度优值Fd=2 7.0× 10 - 8C·cm/J,该薄膜工作温度范围很宽 ,是一种优异的热释电材料。 展开更多
关键词 kta1-xnbxo3 三组分 复合热释电薄膜 制备 性能 钽铌酸钾 热释电性能
下载PDF
Growth Defects in Cubic KTa_(1-x)Nb_xO_3 Crystal 被引量:1
2
作者 王旭平 王继扬 +2 位作者 吴剑 于永贵 张怀金 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第3期261-266,共6页
Potassium tantalate niobate (KTa1-xNbxO3, KTN) crystals with different dimensions and quality situations were grown by Czochralski method. Crystal growth process and morphology properties of KTN are presented in thi... Potassium tantalate niobate (KTa1-xNbxO3, KTN) crystals with different dimensions and quality situations were grown by Czochralski method. Crystal growth process and morphology properties of KTN are presented in this paper. It was found that some defects, such as bubble, inclusion, crack, dislocation etc., can all appear if the crystal is grown in an improper condition. The character and formation mechanism of such defects in macro growth are discussed. We consider that the CO2, which was not released absolutely during the sintering process and dissolved in the melt, led to bubbles. The composition of the inclusion caused by high pulling and rotation rates is KTN polycrystalline. The crack and dislocation in KTN crystal mainly come from improper temperature field. Etching and high-resolution X-ray diffraction (HRXRD) experiment results indicate that the central area is the defects concentrated. 展开更多
关键词 potassium tantalate niobate kta1-xnbxo3 KTN) crystal growth czochralskimethod HRXRD growth defect etching
下载PDF
KTa_(1-x)Nb_xO_3晶体生长固/液边界层结构的微区研究 被引量:2
3
作者 周文平 万松明 +3 位作者 张庆礼 殷绍唐 尤静林 王媛媛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期5085-5090,共6页
测量了KTa1-xNbxO3(KTN)晶体在常温和高温下的Raman光谱;实时测量了晶体生长过程中,固/液边界层内以及边界层两侧的晶体和熔体的高温显微Raman光谱.通过光谱分析获得了KTN晶体生长固/液边界层内的结构特征,以及晶体生长基元从熔体结构... 测量了KTa1-xNbxO3(KTN)晶体在常温和高温下的Raman光谱;实时测量了晶体生长过程中,固/液边界层内以及边界层两侧的晶体和熔体的高温显微Raman光谱.通过光谱分析获得了KTN晶体生长固/液边界层内的结构特征,以及晶体生长基元从熔体结构经边界层过渡到晶体结构的变化规律.研究表明,KTN熔体中的[Ta/NbO3]结构基团进入到生长边界层后逐步转化为[Ta/NbO6]八面体结构基团,已具有KTN单胞的一些特征.进而讨论了以[Ta/NbO6]八面体为生长基元的KTN晶体有(100),(100),(010)和(010)晶面容易显露的生长习性,发现KTN晶体生长固/液边界层厚度约为80—90μm. 展开更多
关键词 kta1-xnbxo3晶体 固/液边界层 高温Raman光谱 实时测量
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部