文章基于赝高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计一款Ka波段单刀四掷反射式开关芯片。为降低芯片插入损耗和提高隔离度,电路选取并联型反射式拓扑结构。同时,为提高工作带宽和减小芯片...文章基于赝高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计一款Ka波段单刀四掷反射式开关芯片。为降低芯片插入损耗和提高隔离度,电路选取并联型反射式拓扑结构。同时,为提高工作带宽和减小芯片面积,采用高低阻抗变换线替代50Ω传输线方式匹配阻抗。芯片采用0 V和-5 V电压控制支路开关的导通或关断。芯片尺寸为1.85 mm×1.55 mm。实测结果表明,在28~42 GHz工作频带范围内,输入输出回波损耗小于-10 dB,插入损耗小于3.2 dB,隔离度大于38 dB,实现了开关芯片低插损、高隔离度的优异性能。展开更多