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HEMT的Kink效应和低频偏移效应解析模型 被引量：1
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作者 张义门 吴拥军 张玉明 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期14-17,共4页
本文在考虑到界面态陷阱的基础上，建立了ＨＥＭＴ的静态和交流小信号解析模型，该模型能够正确地描述ＨＥＭＴ的Ｋｉｎｋ效应和低频偏移效应，并和实验符合相当好．文中还深入讨论了Ｉｎ组分和偏置的影响．
关键词 晶体管 knik效应 低频偏移效应 HEMT
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