Kronig-Penney模型的超对称伙伴势及其精确解

对Kron ig-Penney模型进行Darboux变换,获得了一种新的精确可解周期势能函数,给出了此新势的本征能量及对应的定态波函数。通过计算机的数值运算,给出了具体的一个有限深K-P模型的能带数值解,定量得出了其能带结构。

Kronig-Penney模型中的电子波函数

利用波函数及其导数的连续性条件,讨论Kronig-Penney模型中的电子波函数,得到Kronig-Penney模型相邻周期中波函数的转移矩阵,通过转移矩阵分析得到Kronig-Penney模型中的电子波函数,并进行了讨论.

GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格扩展态电子能级结构的理论研究

运用Kroning_Penney模型,研究了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格扩展态(E>V0)的电子能级结构和带宽随超晶格的阱宽、垒宽和A1组分的变化关系,以及扩展态能量随波矢k的变化关系.计算结果表明:影响光跃迁频率的最大因素是阱宽和A1的组分,随着阱宽的增加,光跃迁频率逐渐减小,随着A1组分的增加,光跃迁频率逐渐增大;影响带宽的较大因素是阱宽和垒宽,随着阱宽和垒宽的增大,带宽逐渐减小.这些将对实验和器件设计具有指导意义.

半导体超晶格子带间跃迁光吸收理论研究

从理论上研究了半导体超晶格子带间跃迁的光吸收性质,以GaAs/AlxGa1-xAs超晶格为例进行数值计算,分析了该材料的吸收系数随入射光光子能量、光场强度和超晶格结构参量(阱宽,垒宽,势垒高)的变化关系·计算表明:随着入射光光子能量的变化,出现非对称的吸收峰;光强只改变吸收系数大小;超晶格结构参量会改变吸收谱的谱宽和吸收峰所对应的入射光频率·随着超晶格阱宽(垒宽)的增大,吸收谱由宽变窄,吸收峰红移;随着超晶格Al组分变大,吸收谱变窄·

掺磷微晶硅薄膜的微结构及光学性质的研究

本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃上制备了本征和掺磷的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜。利用Raman散射谱,计算了表征其薄膜微结构的晶化率(Xc)和平均晶粒尺寸(d)。结果表明随着磷烷(PH3)浓度的增加,其Xc和d均呈现了先增加后减小的相似趋势;利用测得的透射谱和反射谱,并利用Tauc公式拟合了μc-Si∶H薄膜的光学带隙(Egopt)。研究表明,μc-Si∶H薄膜的Egopt与Xc具有相反的变化趋势。该结果可利用Kronig-Penney模型和表征函数F(x)作出合理解释。

适于超晶格应用的Kronig-Penney模型新形式

本文发展了一种Kronig-Penney模型的新形式,比文献[1]的新形式更加普遍和实用,可以分别给出奇数带和偶数带任意k值的包络波函数和能量本征值,并且深入分析了波函数的字称,从而为对超晶格物理性质的研究,提供了一种更加合适的理论形式。

超晶格带结构及透射谱

采用转移矩阵方法,研究了一维有限超晶格的电子态与透射问题。计算了一维有限超晶格的子带带隙,以及一维完整有限超晶格中电子的透射谱和一维有限超晶格中含单个缺陷层或少量缺陷层的电子的透射谱,本文给出的方法对于研究电子通过任意排列的一维有限超晶格的透射具有普适性。

非线性超晶格中波的传播

通过二维实映射研究了非线性Kmnig—Penney超晶格中波的传播。数值计算得到非线性系数不同、以及透射波幅不同时的映射图。结果表明，非线性系数对波传播有明显的调制作用，而透射波幅对非线性系数的有效性有明显的改变。