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碳KLL精细结构的研究 被引量:2
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作者 林清英 张秀林 《钢铁研究学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期54-57,共4页
利用SAM技术研究了金刚石、β碳化硅晶须和碳化钛粉末的碳KLL精细结构。结果表明,由于碳原子的周围环境不同,含碳材料的表面和内部电子结构发生显著变化,相应的碳KLL谱线的形状有差异,这些信息为开发新材料和改进工艺提供... 利用SAM技术研究了金刚石、β碳化硅晶须和碳化钛粉末的碳KLL精细结构。结果表明,由于碳原子的周围环境不同,含碳材料的表面和内部电子结构发生显著变化,相应的碳KLL谱线的形状有差异,这些信息为开发新材料和改进工艺提供了重要的依据。 展开更多
关键词 kll 电子结构 SAM技术 精细结构
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The KLL dielectronic recombination processes for highly charged krypton,iodine and barium ions 被引量:3
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作者 杨建会 张红 程新路 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第6期235-240,共6页
The KLL dielectronic recombination (DR) processes of ions from highly charged helium-like to oxygen-like krypton, iodine and barium ions are studied systematically in the relativistic distorted-wave approximation wi... The KLL dielectronic recombination (DR) processes of ions from highly charged helium-like to oxygen-like krypton, iodine and barium ions are studied systematically in the relativistic distorted-wave approximation with configuration interaction. The KLL DR resonant energies, the corresponding resonant strengths and the theoretical spectra for each highly charged ion species are obtained. The results accord well with other available values. The behaviour of KLL resonant strengths for He-like ions with atomic number Z is analysed. 展开更多
关键词 kll dielectronic recombination resonant strength cross section
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KLL dielectronic recombination process of He-like to O-like xenon ions
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作者 Zhang Deng-Hong Shi Ying-Long +2 位作者 Jiang Jun Dong Chen-zhong Fumihiro Koike 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第1期163-170,共8页
In this work, the KLL dielectronic recombination (DR) processes of highly charged He-like to O-like xenon ions are studied systematically by using a DR program, which is based on the multi-configuration Dirac-Fock ... In this work, the KLL dielectronic recombination (DR) processes of highly charged He-like to O-like xenon ions are studied systematically by using a DR program, which is based on the multi-configuration Dirac-Fock (MCDF) method. The KLL DR resonant energies and the corresponding resonant strengths are calculated, emphasizing especially the effect of the Breit interaction on the DR strengths. The theoretical KLL DR spectra are obtained and compared with the latest experimental results obtained in the Shanghai Electron Beam Ion Trap. 展开更多
关键词 kll dielectronic recombination resonant strength Breit interaction
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昆柳龙多端直流线路故障恢复及换流站在线退站的系统稳定特性分析 被引量:26
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作者 谢惠藩 付超 +7 位作者 李诗旸 梅勇 张建新 徐光虎 朱泽翔 周剑 洪潮 邱建 《南方电网技术》 CSCD 北大核心 2021年第6期7-14,共8页
近年来,多端直流系统已经成为颇具竞争力的跨区域大功率输送方案。昆柳龙(昆北-柳州-龙门)多端直流工程将多端直流的工程实践提升到特高压水平。昆柳龙直流系统包含1个常规直流换流站(昆北)和2个柔性直流换流站(柳州、龙门),系统运行方... 近年来,多端直流系统已经成为颇具竞争力的跨区域大功率输送方案。昆柳龙(昆北-柳州-龙门)多端直流工程将多端直流的工程实践提升到特高压水平。昆柳龙直流系统包含1个常规直流换流站(昆北)和2个柔性直流换流站(柳州、龙门),系统运行方式灵活,在故障清除及恢复过程中需在3个换流站之间进行控制协同,因此控制保护及配套稳定控制系统无法直接沿用常规双端直流工程设计。首先介绍了用于系统稳定性分析的多端直流线路故障恢复及在线退站动作时序,接着分析了送端交流系统在大功率扰动下的频率响应特性,并研究了多端直流故障恢复功能对电网安全稳定影响,提出了各故障下的稳定控制措施,并以昆柳龙直流投产后的年方式数据为基础,通过数值仿真进行了验证。研究成果可为昆柳龙及其他多端直流工程的控制保护功能设计提供参考。 展开更多
关键词 多端直流 故障恢复 换流站在线退站 稳定特性 昆柳龙
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三度剩余重力异常源全方位成像的理论和方法 被引量:3
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作者 安玉林 《地球物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期402-413,共12页
根据三度体引力位V(p)和引力场(总引力场F(p)及其垂向分量△g(p))的球谐分析理论,在球坐标系内,就起伏观测面上的三度体剩余重力异常△g(p),提出了一种异常源全方位成像的理论和方法.其特点是:直接利用起伏观测面上的异常数... 根据三度体引力位V(p)和引力场(总引力场F(p)及其垂向分量△g(p))的球谐分析理论,在球坐标系内,就起伏观测面上的三度体剩余重力异常△g(p),提出了一种异常源全方位成像的理论和方法.其特点是:直接利用起伏观测面上的异常数据;把垂直引力场△g(p)的全方位延拓及其向总引力场F(p)和引力位V(p)的转换,和△g(p)异常源质量、质心、形态、边界位置反演等诸多问题的解决有机地结合起来,给出了多方位的场源图像,能够为最优化反演方法提供初始模型选择的依据. 展开更多
关键词 全方位 成像理论 剩余重力异常 重力勘探
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等离子增强化学汽相淀积a-SiC:H簿膜的AES研究
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作者 刘德中 罗兴华 +1 位作者 张伟 王季陶 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第11期859-864,共6页
用俄歇电子能谱(AES)对等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氢化非晶碳化硅(a-SiC∶H)薄膜进行了组分的深度剖析、半定量分析以及化学分析.俄歇深度剖析曲线表明PECVD淀积的薄膜均匀性非常好;用俄歇半定量结果比较了薄膜成分同淀积工艺参量... 用俄歇电子能谱(AES)对等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氢化非晶碳化硅(a-SiC∶H)薄膜进行了组分的深度剖析、半定量分析以及化学分析.俄歇深度剖析曲线表明PECVD淀积的薄膜均匀性非常好;用俄歇半定量结果比较了薄膜成分同淀积工艺参量之间的一些关系;根据实验获得的Si LVV和CKLL俄歇谱比较和讨论了不同[Si]/[C]浓度比薄膜的化学特征. 展开更多
关键词 PECVD 等离子 薄膜 AES
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