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复合介质L型侧墙形成技术 被引量:3
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作者 金海岩 高玉芝 +2 位作者 冯国进 莫邦燹 张利春 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期69-74,共6页
:给出了 E- B之间复合介质 L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易 ,成品率高 ,均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中 ,器件具有良好的电学特性。
关键词 多晶硅发射极 复合介质 双极晶体管 l型侧墙形成技术
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