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复合介质L型侧墙形成技术
被引量:
3
1
作者
金海岩
高玉芝
+2 位作者
冯国进
莫邦燹
张利春
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期69-74,共6页
:给出了 E- B之间复合介质 L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易 ,成品率高 ,均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中 ,器件具有良好的电学特性。
关键词
多晶硅发射极
复合介质
双极晶体管
l型侧墙形成技术
下载PDF
职称材料
题名
复合介质L型侧墙形成技术
被引量:
3
1
作者
金海岩
高玉芝
冯国进
莫邦燹
张利春
机构
北京大学微电子研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期69-74,共6页
文摘
:给出了 E- B之间复合介质 L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易 ,成品率高 ,均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中 ,器件具有良好的电学特性。
关键词
多晶硅发射极
复合介质
双极晶体管
l型侧墙形成技术
Keywords
bipo
l
ar techno
l
ogy
po
l
y Si emitter
se
l
f a
l
igned
sidewa
l
l
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
复合介质L型侧墙形成技术
金海岩
高玉芝
冯国进
莫邦燹
张利春
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001
3
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