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(GaAs)_1(AlAs)_1(111)超晶格能带结构的LMTO-ASA计算
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作者 吴孙桃 王仁智 黄美纯 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期293-298,共6页
用从头计算的LMTO-ASA方法计算(GaAs)_1(AlAs)_1(111)超晶格和体材料GaAs、AlA_3的能带结构,给出布里洲区对称点Γ、Z、D主要能带本征值的对称性标记和对应关系,结果表明,(GaAs)_1(AlAs)_1(111)能带与体材料能带有一定的对应转化关系,... 用从头计算的LMTO-ASA方法计算(GaAs)_1(AlAs)_1(111)超晶格和体材料GaAs、AlA_3的能带结构,给出布里洲区对称点Γ、Z、D主要能带本征值的对称性标记和对应关系,结果表明,(GaAs)_1(AlAs)_1(111)能带与体材料能带有一定的对应转化关系,能带隙是直接能隙,在布里洲区Γ点。 展开更多
关键词 超晶格 能带结构 l-a法
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