LAP晶体全部压电系数的测量

用干涉法测量了LAP晶体全部压电系数。结果为:d_(21)=2.9×10^(-12)C/N,d_(22)=-8.2×10^(-12)C/N,d_(23)=-1.5×10^(-12)C/N,d_(25)=-11.8×10^(-12)C/N,d_(14)=5.6×10^(-12)C/N,d_(34)=-2.6×10^(-12)C/N,d_(36)=2.4×10^(-12)C/N,d_(16)=6.6×10^(-12)C/N。

活性炭对LAP晶体生长过程中杂晶的抑制

活性炭对ＬＡＰ晶体生长过程中杂晶的抑制朱春城朱军郭慎满（哈尔滨工业大学应用化学系，哈尔滨１５０００１）ＲｅｓｔｒａｉｎｔｏｆＦｏｒｅｉｇｎＣｒｙｓｔａｌｓｂｙＡｃｔｉｖａｔｅｄＣａｂｏｎｄｕｒｉｎｇｔｈｅＣｏｕｒｓｅｏｆＬＡＰＧｒｏｗｔｈＺｈｕＣｈｕ...

添加剂对LAP晶体性能的影响

选用（ＮＨ４）３ＰＯ４作添加剂，生长了不同添加量的ＬＡＰ晶体．实验发现：添加（ＮＨ４）３ＰＯ４后，扩大了晶体生长的过饱和温区，抑制了杂晶的生长，提高了晶体利用率．

A Neutron Diffraction Study for the Crystal Structure of the Deuterium（hydrogen） L－Arginine Phosphate Monohydrate

The crystal structure of the deuterium(hydrogen) L-arginine phosphate monohydrate D(H)LAP has been determined by neutron diffraction technique.[( D2N)2CND (CH2)3CH (ND3)CO2]+·[D2PO4]1-·D2O,Mr=302.3,monoclinic space group P21,Z=2,α=10.843(3),b=7.913(2),c=7.321(2),β=97.99(3)°,V=622.0(3),Dc=1.602 g/cm3.All atoms were located by block diagonal matrix least-squares technique.A final Rf value of 0.048 was obtained for 1040 observed independent reflections.The crystal structure consists of alternate layers of phosphate groups and arginine molecules stacked along the axis a and held together by hydrogen bonds.

蓝宝石晶体的双面研磨加工

为了实现对蓝宝石晶体的高效低损伤研磨加工,对蓝宝石晶体的双面研磨加工表面粗糙度、研磨均匀性和亚表面损伤层的深度进行实验研究。采用280#碳化硼磨粒双面研磨(0001)面蓝宝石晶体,考察了研磨时间对材料去除速率、表面粗糙度的作用规律,根据蓝宝石晶体切割表面状态确定了双面研磨的加工余量;通过WYKO粗糙度仪从微观上分析了蓝宝石晶体表面的研磨均匀性;最后,应用纳米压入测试分析了亚表面损伤层的深度。实验结果表明:蓝宝石晶体经过120 min的双面研磨加工后可以获得Ra为0.523μm,Rt<6.0μm的表面;其深度损伤层约为460 nm,亚表面损伤层<1μm。

金刚石刀具技术的发展状况

介绍了应用人工目测法、X射线法和激光法进行金刚石刀具晶体定向的技术 ,论述了传统的机械研磨、热化学抛光、无损伤机械化学抛光、化学辅助机械抛光与光整等多种金刚石刀具刃磨工艺方法及其刃口检测技术的发展状况 ,并对各种相应的检测技术作了比较。最后 ,论述了金刚石刀具刃磨的材料去除机理 。

SiC单晶片研磨机理及试验

SiC因其优良的物理机械性能而广泛应用于大功率器件以及IC领域。但其高的硬度和脆性导致其加工过程非常困难。本文分析了SiC单晶在研磨过程中的材料去除机理,讨论了塑性去除时磨粒的临界切削深度,建立了塑性条件下的材料去除模型。采用不同粒度的金刚石磨粒对SiC晶片进行研磨实验,验证了理论模型的正确性,结果表明在塑性模式下的材料去除能获得良好的表面形貌和较低粗糙度,同时对不同磨粒粒度的材料去除率进行了讨论。

单晶金刚石晶体的机械研磨

为研究单晶金刚石晶体机械研磨过程中表层材料的去除机理,首先从理论上分析了单晶金刚石晶体在机械研磨过程中表层材料发生塑性变形的临界条件,并利用原子力显微镜对研磨后的(110)晶面和(100)晶面进行观测,发现两个晶面沿易磨方向<100>和难磨方向<110>研磨时的研磨表面都存在塑性变形后的纳米沟槽,表明表层材料实现了塑性方式去除.但在相同的晶面和扫描范围内,沿易磨方向研磨的表面塑性沟槽数目少,表面波纹明显;而难磨方向的研磨表面塑性沟槽数目多,所获得的表面粗糙度低.对(110)晶面和(100)晶面各个研磨方向的最大塑性沟槽深度比较的结果表明,两个晶面的最大塑性沟槽深度具有显著的各向异性.

新型研磨垫对单晶氧化镓研磨的实验研究

为抑制氧化镓晶片在研磨过程中的解理现象,通过NAKAMURA的方法,重新设计、研制一种黏弹性固着磨料新型研磨垫对氧化镓晶片进行研磨实验研究,对比分析其与传统铸铁研磨盘对单晶氧化镓研磨的材料去除率和表面质量的影响规律,结果表明:在同一研磨参数下,采用铸铁盘研磨时,晶片材料去除率较高,为358nm/min,研磨后晶片表面粗糙度Ra由初始的269nm降低到117nm,降幅仅为56.5%;而采用新型研磨垫研磨时,其材料去除率虽较低,为263nm/min,但研磨后晶片表面粗糙度Ra却降低至58nm,降幅达到78.4%,晶片表面质量得到明显提高,为后续氧化镓晶片的抛光奠定了良好的基础,因而新型研磨垫更适合对氧化镓进行研磨。同时,也为氧化镓晶片研磨提供了参考依据。

单晶硅镜面超光滑表面工艺技术研究

用古典的沥青盘抛光技术,通过对超光滑抛光时所使用磨料的选取、沥青抛光盘的软硬和 厚度的合理应用、抛光温度的控制等工艺参数的优化,以f220mm内的单晶硅进行了超光滑表面抛光工艺试验。试验结果,单晶硅表面粗糙度RMS值达0.37nm,平面面形误差PV小于l/15,且加工工艺技术稳定可靠。

固结磨料研磨SiC单晶基片(0001)C面研究

碳化硅(SiC)单晶基片已广泛应用于微电子、光电子等领域.本文针对传统游离磨料研磨加工的缺点,提出了固结磨料研磨SiC单晶基片技术,以前期研究的SiC单晶基片研磨膏配方,试制了一系列固结磨料研磨盘,研究了固结磨料研磨SiC单晶基片(0001)C面时的材料去除率、表面粗糙度及平面度,并与游离磨料研磨进行了对比.结果表明,固结磨料研磨后样品表面有深度较浅的划痕,游离磨料研磨后表面没有划痕,但表面呈凹坑状;游离磨料研磨后工件表面粗糙度轮廓最大高度Rz远大于固结磨料研磨;固结磨料研磨的材料去除率高于游离磨料,固结磨料研磨后的表面粗糙度Ra远低于游离磨料研磨,固结磨料研磨可提高平面度;研究结果可为进一步研究固结磨料化学机械研磨盘、固结磨料研磨工艺参数及机理提供参考依据.

石英晶体精密研磨技术的研究

通过实验，着重讨论了石英晶体的研磨机理及研磨速度、研磨压力和磨粒粒径对试件表面质量和研磨效率的影响，并确定了合理的精密研磨参数选用范围。实验采用修正环型研磨机，加工出表面粗糙度Ｒａｍａｘ０．７μｍ的石英晶体表面，为实现石英晶体的超精密抛光准备了必要的条件。

板条Nd:YAG晶体的合成盘抛光技术

针对高功率板条激光器核心工作器件——板条Nd:YAG晶体的超精密加工开展研究,分析了具有特殊构型的板条Nd:YAG晶体元件的加工性能及工艺难点,提出了一种新的基于合成盘抛光的板条Nd:YAG晶体加工工艺,并对规格为100mm×30mm×3mm的板条Nd:YAG晶体进行了加工实验。实验结果表明,合成盘抛光可以很好地控制元件的塌边现象;通过磨料的优化选择,在合成盘抛光工艺中匹配合适粒度的Al2O3磨料能够实现元件的低缺陷加工,元件下盘后的全反射面平面度达0.217λ(1λ=632.8nm),端面平面度达到0.06λ,表面粗糙度达0.55nm(RMS),端面楔角精度可达2″。

关于SBS介质

本文综述了三类SBS介质的一般特性 ,对于新出现的表现出良好的SBS特性的介质如 :LAP晶体 ,四氯化物液体 ,碳氟化合物液体及稀有气体作了综述。文章指出纯化SBS液体介质对于克服SBS过程中出现的光致破坏作用 ,自散焦等非线性效应是关键。本综述对于SBS介质的选取有重要的参考作用。

铌酸锂晶体的研磨亚表面损伤深度

针对光学材料研磨过程引入的亚表面损伤层（SSD）深度对工件的抛光工序效率和表面质量的影响,探索了光学材料在研磨过程中的亚表面损伤规律。采用角度抛光的方法测量了软脆材料铌酸锂（LN）晶体的损伤层深度,分析了研磨方式、磨粒粒径和研磨压力对工件亚表面损伤层的影响规律。结果表明：研磨方式对损伤缺陷的影响最为显著,相同研磨条件下游离磨料研磨后的损伤层深度约为固结磨料研磨的3~4倍,游离磨料研磨后工件亚表面存在多处圆弧形裂纹,固结磨料研磨后主要显现细小裂纹和＂人＂字型裂纹;当磨粒粒径从W28下降到W14后,游离研磨的亚表面损伤层深度下降至原来的45%,而固结研磨的损伤层深度下降至30%;另外,研磨压力的降低有利于减小工件的亚表面损伤。该研究对LN晶体研磨方式及研磨工艺的选择具有指导意义。

光子晶体光纤端面研磨损伤的分析

对光子晶体光纤的端面研磨过程进行研究,讨论了光子晶体光纤端面研磨损伤的特点。针对光子晶体光纤的结构特点,应用有限元法建立了数值仿真模型。通过单一磨粒切削孔壁的仿真实验,分析了不同切削深度下裂纹损伤的产生情况以及不同磨粒直径对光纤孔壁结构造成的损伤。最后通过实际研磨实验验证了分析结果。结果表明:有限元法能够很好地模拟光子晶体光纤的端面研磨过程;研磨过程中,相对于非孔洞区域,孔壁边缘更容易出现损伤,呈现出沿圆周分布的崩塌区域;边缘崩塌区域尺寸随磨粒直径的增加而增加。实验用光子晶体光纤孔壁边缘无崩塌的最大切削深度低于普通光纤脆塑转变的临界切削深度,使用0.02μm的砂纸进行抛光可以有效地避免对光子晶体光纤孔壁造成损伤。

超声研磨SiC单晶材料去除率与表面特征研究

为了提高SiC单晶片的加工效率,降低表面粗糙度,通过实验对比研究了普通研磨与超声波辅助研磨两种研磨工艺。实验表明,超声波辅助研磨SiC单晶片材料去除率是普通研磨的两倍,表面粗糙度值也有显著降低。本文同时分析了材料去除率提高与表面粗糙度值降低的原因。

金刚石研磨技术的研究与研磨机的改造

分析了金刚石的研磨技术 ,介绍了金刚石的研磨方法。提出一种研磨机改造方案 ,增强了研磨机的控制功能 ,提高了研磨机的加工精度 ,降低了金刚石刀具的加工成本。

单晶蓝宝石高效超精密加工技术研究

针对光电子器件、集成电路等应用领域对单晶蓝宝石高质量的表面需求,而单晶蓝宝石自身的硬度和良好的化学稳定性给抛光带来较大的困难。文章在分析、对比直接采用2μm金刚石磨料化学机械抛光蓝宝石基片效果的基础上,提出机械研磨与化学机械抛光相结合的工艺抛光蓝宝石。结果表明,采用10μm的碳化硼磨料机械研磨蓝宝石,材料去除率为8.03μm/h,表面粗糙度Ra由1.18μm迅速降至22.326 nm;采用粒径为2μm和0.5μm的金刚石磨料化学机械抛光蓝宝石晶片,有效的去除机械抛光带来的损伤,最后表面粗糙度Ra可达0.55 nm。此抛光工艺能满足蓝宝石晶体高效、超光滑、低损伤的抛光要求。