三硼酸锂(LBO)晶体的缺陷研究

三硼酸锂（ＬｉＢ３Ｏ５简称ＬＢＯ）晶体作为一种比较新的非线性光学材料，逐渐得到广泛的应用。但是由于ＬＢＯ晶体Ｏ－Ｂ－Ｏ键链结构特点，晶体生长比较困难，主要是因为溶液粘滞度太大，边界层太厚，溶质输运不畅，排杂和排出溶剂的能力较低。在生长过程中出现的宏观和微观缺陷较多。本文通过光学方法和Ｘ射线形貌方法，分析了晶体中的各种缺陷，并提出减少这些缺陷生成的具体措施。通过研究发现ＬＢＯ晶体主要有以下几种较为严重的缺陷。１．籽晶周围的严重包藏研究发现，一般晶体的籽晶周围都存在着较为严重的多晶堆积型包藏，是一种较明显的宏观缺陷，它的形成原因：一是籽晶内应力的释放造成新的生长分子集团的取向改变，二是籽晶上的杂质粒子凝聚在晶体表面使晶格失配，而且往往形成多晶堆积。一般在籽晶恢复期，因籽晶较小，溶液搅拌效果差，溶质输运不畅，很难形成一个较好的正常生长环境，一般解决的方法是很好地溶解籽晶，提高晶体的转速，加大搅拌，加大过饱和度，加快生长是很有效的。２．晶体内散射颗粒ＬＢＯ晶体结构中存在着（Ｂ３Ｏ７）硼氧环阴离子基团，坚固的Ｏ－Ｂ－Ｏ键链形成了三维网络结构。晶体生长溶液具有较大的粘滞性，晶体在生长过程中边界层厚度对晶体的生长有严重影?

减少三硼酸锂晶体中散射颗粒的研究

本文主要讨论了三硼酸锂（ＬＢＯ）晶体的一种特殊缺陷，溶剂包藏所产生的散射颗粒。它严重影响着晶体的光学质量。我们通过晶体生长溶液体系的探索研究，终于找到了解决问题的办法。三硼酸锂（ＬｉＢ３Ｏ５）简称（ＬＢＯ）晶体是近几年来福建结物质结构研究所对硼酸盐系列化合物的研究和筛选中发现的一种紫外倍频材料，由于它的透光波段宽，抗激光损伤阈值高等特点，越来越受到人们的重视。通过结构分析可以看出，晶体结构中存在着（Ｂ３Ｏ７）硼氧环阴离子基因，Ｌｉ离子分布在基团骨架间隙中，这些Ｂ３Ｏ７，基团相互联接，沿ｃ轴方向形成螺旋结构，每个螺旋结构又通过硼氧桥相互联接。由于该晶体的硼化物坚固的Ｏ－Ｂ－Ｏ键链所形成的三维网络结构。晶体生长溶液具有很高的粘滞性。晶体在生长中边界层厚度较大，溶质输运不畅，严重影响溶质集团的有序生长排列。如果按常规参照Ｓａｓｔｒｙ发表的相图按ＬＢＯ∶Ｂ２Ｏ３＝２ｍｏｌ％∶１ｍｏｌ％比例生长晶体是很难克服晶体生长过程中“溶剂包藏”这一问题的。经过长时间生长研究发现，ＳａｓｔｒｙＬＢＯ相图中的个别相变点与实验情况是不相符合的。为了尽量降低溶液粘度同时又要遵循相图避免发生别的相变化，一般都采用ＬＢＯ∶Ｂ２Ｏ３＝２∶?