单片集成的高频宽带LC VCO设计

设计了一款1.9-4.3 GHz的单片集成宽带VCO。采用三个低相位噪声LC VCO在频率上互相重叠的架构实现高频宽带特性,VCO内部集成中间抽头的差分电感。电路制造采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺技术,VCO的工作频率达1.9-4.3 GHz,单元功耗仅为4 mA。在工作频率为2.46 GHz处,经过÷2分频器输出的相位噪声实测值为-97 dBc/Hz（100 kHz频偏下）。

全集成低功耗低相位噪声差分LC压控振荡器设计(英文)

介绍了一个针对全球定位系统接收机的全集成差分LC压控振荡器设计。该设计采用互补交叉耦合晶体管对结构,去掉了尾电流源以消除其热噪声对相位噪声的影响。考虑到低功耗低相位噪声表现,文中给出设计步骤。该设计经台积电0.18μm射频CMOS工艺进行流片验证。在1.5 V的供电电压下,VCO振荡于3.14 GHz,仅消耗1.2 mA。在频偏600 kHz和1 MHz的情况下,其相位噪声分别为-113 dBc/Hz和-118 dBc/Hz。

一种基于Class-C LC-tank的低压2分频注入锁定分频器（英文）

提出了1种基于0.18μm CMOS工艺的低压低功耗、宽锁定范围、低复杂度的2分频直接注入锁定分频器.该分频器采用Class-C的LC-tank架构来降低电源电压,同时改善LC振荡器的起振情况.此外还采用双端注入混频技术来扩大锁定范围.仿真结果表明该分频器有很好的混频性能,且分频器核心电路(不包括输出buffer)在800 m V电源电压下的功耗仅为0.91 m W.在注入信号的功率为0 d Bm时,该分频器在没有任何调谐单元时的锁定范围为6.4-8.5 GHz.