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500V压集成电路LCH1016的研制
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作者 赵元富 孙龙杰 +1 位作者 王方 王庆丰 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第11期5-9,共5页
本文采用N阱硅栅CMOS工艺和自绝缘偏移栅高压MOS器件结构。研制出500V高压集成电路LCH1016。重点讨论了高压器件结构对击穿电压的影响及其导通电阻特性。给出了LCH1016的电路逻辑、版图设计及工艺参数控制.
关键词 500V高压集成电路 lch1016 导通电阻特性 电路逻辑 工艺
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