激光诱导化学气相沉积制膜技术

综述了LCVD制备薄膜的原理和特性,国内外对LCVD的研究应用情况及目前最新的研究方向。阐明了LCVD技术在制备薄膜过程中的生长低温化及高精度膜厚的可控制性能等特点。分析了激光功率、反应室气压及基材预处理等参数对薄膜质量的影响。

LCVD制备多晶硅膜实验研究

用CWCO_2激光诱发SiH_4反应,在石英基片上淀积多晶硅膜,它的Raman谱表明,激光诱发反应时间越长,结晶度越高.SEM 结果表明,不同淀积时间,表面结构差异较大.薄厚台阶仪测出不同实验条件淀积速率变化的规律.同时,结合不同条件下控制过程的反应机制,对结果进行了定性的讨论.