复合多晶硅双极晶体管DC～3Gb/sLD/EA驱动器

本文介绍了一种新型LD/EA驱动器 .该驱动器采用四个塑封NPN多晶硅双极晶体管和一个常规硅双极晶体管作为有源器件 ,可以在 2 5Ω负载上产生 5 0mA的调制电流用于直接驱动激光器或在 5 0Ω负载上产生 2 .5V的调制电压用于驱动EA调制器 .该驱动器的工作速率为DC至 3Gb/s,调制电流和偏置电流调节范围分别为 5～ 5 0mA ,上升、下降时间小于 10 0ps.

一种LD驱动芯片温度补偿电路设计与实现

在分析半导体激光器（LD）温度特性的基础上，研究实施温度补偿的原理和实现方案，并给出电路核心部分的一种新颖结构．该电路采用0．35μm，BiCMOS工艺实现．该电路感应LD温度变化，通过设置外部电阻取值对输出调制电流的幅度、补偿温度起点以及补偿力度进行调节，从而满足LD特性随温度变化的要求，并具有良好的兼容能力．后端仿真结果显示3．3V工作电压下该电路温度补偿范围为20～75℃，最大补偿力度可达4．3dB，输出调制电流幅度为5～85mA，完全满足设计要求，已经应用于622M／1．25Gbit／s光纤通信系统中．