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超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应
1
作者
杨林安
于春利
郝跃
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期1390-1395,共6页
通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常...
通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常认为的DAHC应力(最大衬底电流应力)下器件退化最严重的理论不一致.因此,这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型(LEM)的框架理论来解释.认为这种“非幸运电子模型效应”是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子,在Si SiO2界面产生界面陷阱(界面态)的区域,由Si SiO2界面的栅和漏的重叠区移至沟道与LDD区的交界处以及更趋于沟道界面的运动引起的.
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关键词
LDD
NMOSFET
热载流子退化
沟道热载流子应力
漏雪崩热载流子应力
幸运电子模型
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职称材料
超薄栅超短沟LDD nMOSFET中栅电压对栅致漏极泄漏电流影响研究
被引量:
1
2
作者
陈海峰
过立新
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期509-515,共7页
本文研究了90nm CMOS工艺下栅氧化层厚度为1.4 nm沟道长度为100 nm的轻掺杂漏(LDD)nMOSFET栅电压V_G对栅致漏极泄漏(GIDL)电流I_D的影响,发现不同V_G下ln(I_D/(V_(DG)-1.2))-1/(V_(DG)-1.2)曲线相比大尺寸厚栅器件时发生了分裂现象.通...
本文研究了90nm CMOS工艺下栅氧化层厚度为1.4 nm沟道长度为100 nm的轻掺杂漏(LDD)nMOSFET栅电压V_G对栅致漏极泄漏(GIDL)电流I_D的影响,发现不同V_G下ln(I_D/(V_(DG)-1.2))-1/(V_(DG)-1.2)曲线相比大尺寸厚栅器件时发生了分裂现象.通过比较V_G变化下ln(I_D/V_(DG)-1.2))的差值,得出V_G与这种分裂现象之间的作用机理,分裂现象的产生归因于V_G的改变影响了GIDL电流横向空穴隧穿部分所致.随着|V_G|的变小,ln(I_D/(V_(DG)-1.2))曲线的斜率的绝对值变小.进一步发现不同V_G对应的1n(I_D/(V_(DG)-1.2))曲线的斜率c及截距d与V_G呈线性关系,c,d曲线的斜率分别为3.09和-0.77.c与d定量的体现了超薄栅超短沟器件中V_G对GIDL电流的影响,基于此,提出了一个引入V_G影响的新GIDL电流关系式.
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关键词
GlDL
带带隧穿
CMOS
LDD
NMOSFET
原文传递
28nm NMOSFET器件漏电的研究与优化
3
作者
勾鹏
王海涛
+2 位作者
周晓君
刘巍
田明
《集成电路应用》
2020年第5期31-33,共3页
随着MOSFET器件尺寸不断缩小,短沟道器件的漏电越来越严重,导致芯片的发热现象更严重,极大降低了芯片的可靠性。基于HLMC 28 nm低功耗逻辑平台,研究了轻掺杂漏(LDD)流程中离子注入工艺条件对NMOSFET器件漏电的影响及物理机制。实验结果...
随着MOSFET器件尺寸不断缩小,短沟道器件的漏电越来越严重,导致芯片的发热现象更严重,极大降低了芯片的可靠性。基于HLMC 28 nm低功耗逻辑平台,研究了轻掺杂漏(LDD)流程中离子注入工艺条件对NMOSFET器件漏电的影响及物理机制。实验结果表明,通过优化口袋及预非晶化离子注入条件,可以显著改善器件漏电。同时借助半导体工艺及器件仿真工具TCAD,进一步研究了NMOSFET器件的漏电机理,与实验结果得到了很好的吻合。
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关键词
集成电路制造
NMOSFET
器件
漏电
LDD离子注入
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职称材料
题名
超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应
1
作者
杨林安
于春利
郝跃
机构
西安电子科技大学微电子所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期1390-1395,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:60376024)
国家高科技研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目~~
文摘
通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常认为的DAHC应力(最大衬底电流应力)下器件退化最严重的理论不一致.因此,这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型(LEM)的框架理论来解释.认为这种“非幸运电子模型效应”是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子,在Si SiO2界面产生界面陷阱(界面态)的区域,由Si SiO2界面的栅和漏的重叠区移至沟道与LDD区的交界处以及更趋于沟道界面的运动引起的.
关键词
LDD
NMOSFET
热载流子退化
沟道热载流子应力
漏雪崩热载流子应力
幸运电子模型
Keywords
LDD nMOSFET
hot carrier degradation
channel hot carrier stress
drain avalanche hot carrier stress
lucky electron model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
超薄栅超短沟LDD nMOSFET中栅电压对栅致漏极泄漏电流影响研究
被引量:
1
2
作者
陈海峰
过立新
机构
西安邮电学院电子工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期509-515,共7页
基金
西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-201012)
西安邮电学院青年教师科研基金(批准号:ZL2010-19)资助的课题~~
文摘
本文研究了90nm CMOS工艺下栅氧化层厚度为1.4 nm沟道长度为100 nm的轻掺杂漏(LDD)nMOSFET栅电压V_G对栅致漏极泄漏(GIDL)电流I_D的影响,发现不同V_G下ln(I_D/(V_(DG)-1.2))-1/(V_(DG)-1.2)曲线相比大尺寸厚栅器件时发生了分裂现象.通过比较V_G变化下ln(I_D/V_(DG)-1.2))的差值,得出V_G与这种分裂现象之间的作用机理,分裂现象的产生归因于V_G的改变影响了GIDL电流横向空穴隧穿部分所致.随着|V_G|的变小,ln(I_D/(V_(DG)-1.2))曲线的斜率的绝对值变小.进一步发现不同V_G对应的1n(I_D/(V_(DG)-1.2))曲线的斜率c及截距d与V_G呈线性关系,c,d曲线的斜率分别为3.09和-0.77.c与d定量的体现了超薄栅超短沟器件中V_G对GIDL电流的影响,基于此,提出了一个引入V_G影响的新GIDL电流关系式.
关键词
GlDL
带带隧穿
CMOS
LDD
NMOSFET
Keywords
GIDL
band-to-band tunneling
CMOS
LDD nMOSFET
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
28nm NMOSFET器件漏电的研究与优化
3
作者
勾鹏
王海涛
周晓君
刘巍
田明
机构
上海华力集成电路制造有限公司
出处
《集成电路应用》
2020年第5期31-33,共3页
基金
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204)。
文摘
随着MOSFET器件尺寸不断缩小,短沟道器件的漏电越来越严重,导致芯片的发热现象更严重,极大降低了芯片的可靠性。基于HLMC 28 nm低功耗逻辑平台,研究了轻掺杂漏(LDD)流程中离子注入工艺条件对NMOSFET器件漏电的影响及物理机制。实验结果表明,通过优化口袋及预非晶化离子注入条件,可以显著改善器件漏电。同时借助半导体工艺及器件仿真工具TCAD,进一步研究了NMOSFET器件的漏电机理,与实验结果得到了很好的吻合。
关键词
集成电路制造
NMOSFET
器件
漏电
LDD离子注入
Keywords
integrated circuit manufacturing
NMOSFET
Device
Leakage
LDD Implant
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应
杨林安
于春利
郝跃
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
下载PDF
职称材料
2
超薄栅超短沟LDD nMOSFET中栅电压对栅致漏极泄漏电流影响研究
陈海峰
过立新
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
原文传递
3
28nm NMOSFET器件漏电的研究与优化
勾鹏
王海涛
周晓君
刘巍
田明
《集成电路应用》
2020
0
下载PDF
职称材料
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