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LDD-CMOS中ESD及其相关机理
被引量:
11
1
作者
马巍
郝跃
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第8期892-896,共5页
LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术 ,该技术很好地改善了沟道电场分布 ,避免了在器件漏端的强场效应 ,在可靠性方面明显地提高器件及电路的热载流子寿命 .然而 ,LDD结构的抗ESD的能力却大大降低了 .文中通过实验和分...
LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术 ,该技术很好地改善了沟道电场分布 ,避免了在器件漏端的强场效应 ,在可靠性方面明显地提高器件及电路的热载流子寿命 .然而 ,LDD结构的抗ESD的能力却大大降低了 .文中通过实验和分析 ,研究了在ESD过程中 ,LDDgg nMOS器件的Snapback对器件潜在损伤的影响 。
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关键词
ldd—cmos
ESD潜在损伤
SNAPBACK
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职称材料
题名
LDD-CMOS中ESD及其相关机理
被引量:
11
1
作者
马巍
郝跃
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第8期892-896,共5页
基金
国防预先研究支持项目 (项目编号 :413 0 80 60 3 0 5 )~~
文摘
LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术 ,该技术很好地改善了沟道电场分布 ,避免了在器件漏端的强场效应 ,在可靠性方面明显地提高器件及电路的热载流子寿命 .然而 ,LDD结构的抗ESD的能力却大大降低了 .文中通过实验和分析 ,研究了在ESD过程中 ,LDDgg nMOS器件的Snapback对器件潜在损伤的影响 。
关键词
ldd—cmos
ESD潜在损伤
SNAPBACK
Keywords
ldd
cmos
ESD latent damage
Snapback
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LDD-CMOS中ESD及其相关机理
马巍
郝跃
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
11
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