LDD-CMOS中ESD及其相关机理

LDD工艺是CMOS集成电路进入亚微米后应用最广泛的技术 ,该技术很好地改善了沟道电场分布 ,避免了在器件漏端的强场效应 ,在可靠性方面明显地提高器件及电路的热载流子寿命 .然而 ,LDD结构的抗ESD的能力却大大降低了 .文中通过实验和分析 ,研究了在ESD过程中 ,LDDgg nMOS器件的Snapback对器件潜在损伤的影响 。