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RESURF LDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型(英文)
被引量:
1
1
作者
何进
张兴
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第9期1102-1106,共5页
提出了 RESURF L DMOS功率器件的表面电场分布和击穿电压的解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了与器件参数和偏压相关的表面电场和电势分布解析表达式 .在此基础上 ,推出了为获得击穿电压和比导通电阻最好折中的优化条件 .该解析...
提出了 RESURF L DMOS功率器件的表面电场分布和击穿电压的解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了与器件参数和偏压相关的表面电场和电势分布解析表达式 .在此基础上 ,推出了为获得击穿电压和比导通电阻最好折中的优化条件 .该解析结果与半导体器件数值分析工具 MEDICI得到的数值分析结果和先前的实验数据基本一致 。
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关键词
RESURF原理
ldmos功率器件
表面场分布
解析模型
击穿电压
下载PDF
职称材料
RF LDMOS功率器件研制
2
作者
陈蕾
王帅
+2 位作者
姜一波
李科
杜寰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第10期968-972,共5页
基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移...
基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移特性、击穿特性、截止频率及最大振荡频率的影响。测试结果表明该器件的阈值电压为1.8 V,击穿电压可达70 V,截止频率和最大振荡频率分别为9 GHz和12.6 GHz,并可提供0.7 W/mm的输出功率密度。
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关键词
射频
ldmos功率器件
击穿电压
栅极金属总线
截止频率
最大振荡频率
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职称材料
题名
RESURF LDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型(英文)
被引量:
1
1
作者
何进
张兴
机构
北京大学微电子学研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第9期1102-1106,共5页
基金
国家基础研究资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 36 5 )~~
文摘
提出了 RESURF L DMOS功率器件的表面电场分布和击穿电压的解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了与器件参数和偏压相关的表面电场和电势分布解析表达式 .在此基础上 ,推出了为获得击穿电压和比导通电阻最好折中的优化条件 .该解析结果与半导体器件数值分析工具 MEDICI得到的数值分析结果和先前的实验数据基本一致 。
关键词
RESURF原理
ldmos功率器件
表面场分布
解析模型
击穿电压
Keywords
RESURF principle
ldmos
power transistor
breakdown voltage
surface field
on-resistance
optimum design
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
RF LDMOS功率器件研制
2
作者
陈蕾
王帅
姜一波
李科
杜寰
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第10期968-972,共5页
文摘
基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移特性、击穿特性、截止频率及最大振荡频率的影响。测试结果表明该器件的阈值电压为1.8 V,击穿电压可达70 V,截止频率和最大振荡频率分别为9 GHz和12.6 GHz,并可提供0.7 W/mm的输出功率密度。
关键词
射频
ldmos功率器件
击穿电压
栅极金属总线
截止频率
最大振荡频率
Keywords
RF power
ldmos
breakdown voltage
gate bus
cutoff frequency
max oscillator frequency
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
RESURF LDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型(英文)
何进
张兴
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
下载PDF
职称材料
2
RF LDMOS功率器件研制
陈蕾
王帅
姜一波
李科
杜寰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
下载PDF
职称材料
已选择
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引用分析
参考文献
引证文献
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