大功率LDMOS射频功率晶体管的探索与研究

LDMOS射频功率晶体管具有超耐用、高功率、高效率和高增益等优良的性能。它以空前的功率水平实现高增益,这大大减少了所需的部件数量,与传统设计相比,部件数量大大地减少,部件数量的大幅减少,使主板空间要求和制造复杂性随之降低。这样的效率水平能够大大减少放大器设计的复杂性、增益进阶、部件数量和电路板数量,最终使放大器成本全面降低。

飞思卡尔射频创新文化产生超高效率的高功率LDMOS射频功率晶体管

飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。

面向无线宽带应用的LDMOS射频功率晶体管

这两款LDMOS射频功率晶体管主要面向无线宽带应用，例如在2．5～2．7GHz频段上运行的WiMAX应用。在WiMAX信号条件下，提供16W平均输出功率时，PTFA260851E／F 85W可实现14dB增益（典型值）和22％效率（典型值）。在WiMAX信号条件下，提供32W平均输出功率时，PTFA261 702E 170W可实现15dB增益（典型值）和20％效率（典型值）。

飞思卡尔推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管

飞思卡尔半导体日前宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VPl1KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率．具有同类设备最高的排放效率和功率增益。

大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制

介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并研制出了百瓦级以上大功率射频Si-VDMOS功率晶体管系列产品。产品主要性能如下:在工作电压28 V及连续波下,采用8胞合成时,225 MHz输出功率达200 W以上,500 MHz输出功率达150 W以上;进一步增加子胞数量,采用12胞合成时,225 MHz输出功率达300 W以上,同时具备良好的增益及效率特性,与国外大功率射频Si-VDMOS功率晶体管的产品参数相比,达到了同类产品水平。

飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管

飞思卡尔半导体目前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案，覆盖了所有主要的蜂窝基础设施频段。这两款解决方案均采用小巧的封装，却具有优秀的增益性能。AFT27S006N的峰值功率为6W，是继广受欢迎的MW6S004N产品（MW6S004N产品已经成为业界的主力驱动器，广泛应用于世累级无线基础设施中）后推出的新一代器件。此外，飞思卡尔还为该系列添加了一个称为AFT27S010N的大功率器件，其峰值功率为10W。

飞思卡尔通过射频功率LDMOS晶体管为广播电视发射器设立了新基准

飞思卡尔半导体宣布推出RF功率LDMOS晶体管,该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性,专门面向UHF广播电视应用而设计。 MRFE6VP8600H与其上一代产品相比输出功率提高39%,其设计在满足ATSC、

飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管

飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案,覆盖了主要的蜂窝基础设施频段,这两款解决方案均采用小巧的封装,却具有业界领先的增益性能。AFT27S006N的峰值功率为6W,是继广受欢迎的MW6S004N产品后推出的新一代器件。此外,飞思卡尔还为该系列添加了一个称为AFT27S010N的大功率器件,其峰值功率为10W。

飞思卡尔推出高功率LDMOS射频晶体管MRF6P3300H

飞思卡尔日前推出了超高效的射频功率晶体管MRF6P3300H，这种晶体管能为数字和模拟电视广播应用降低发射器功耗，并降低运营成本。

硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势

从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠以及脉冲应用等方向发展。

射频功率晶体管内匹配技术中键合线的建模仿真与参数提取

金属键合线互连是射频大功率晶体管内匹配技术中的关键手段。键合线的直径、长度、拱高和并列键合线间距等物理参量,均对器件性能有很大影响。采用三维电磁仿真软件EMDS和射频电路设计软件ADS对金属键合线互连进行了建模仿真和射频等效参数提取,分析了等效参数与键合线各物理参量之间的关系,针对具体的关系特点及内匹配技术中键合线的选取,给出了相应的优化设计措施。

射频功率LDMOS槽形漂移区结构优化设计

对射频功率LDMOS槽形漂移区的结构进行了优化设计.基于射频功率LDMOS的频率特性,提出了矩形、倒三角形和正三角形槽结构,对槽的位置、深度、宽度进行分析,在满足相同的耐压和导通电阻条件下,得出最优结构为正三角形槽结构,该结构实现了最大程度地减小寄生反馈电容的目的,寄生反馈电容减小了24%,LDMOS的截止频率提高了15%.

120W DVB-T输出功率LDMOS超高频晶体管

600W LDMOS超高频（UHF）射频功率晶体管BLF888A是目前功能极强的LDMOS广播发射机晶体管，支持470～860MHz完整超高频带DVB-T信号，平均输出功率120W，效率可达31％以上。

LDMOS射频晶体管满足2.5G和3G蜂窝基站的新挑战

运行在869MHz-2.17GHz频段内的蜂窝无线基站是射频功率晶体管如今最大的市场.其中,基于硅的LDMOS器件被广泛使用于500MHz-2.5GHz之间的射频功率放大器应用当中.作为增强模式的N沟道MOSFET,LDMOS器件(LD代表侧面扩散,描述了器件的沟道结构)专门被设计成为具有高的工作电压(长沟道)和低寄生电容,从而能在高频下工作.在早期的蜂窝无线系统中,其它的功率晶体管技术如基于硅的双极晶体管和GaAsMOSFET在相互竞争.而现在基于硅的LDMOS已经崛起,并将在今后的蜂窝基站应用中取代其他技术成为市场主流.

0.18μm射频SOI LDMOS功率器件的研究

在提出0.18μm射频SOI LDMOS功率器件研究方法的基础上,对工艺进行了设计,并制备了栅宽为1 200μm,栅长为0.7μm,漏的注入区与栅的距离为1.5μm的0.18μm射频SOILDMOS功率器件。对器件进行了测试和模拟,在工作频率为3 GHz,直流偏置电压VDS为3 V,VGS为1.5 V,输入功率Pin为5 dBm时,Pout、增益和PAE分别为15 dBm1、0 dB和35%。

微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究：Ⅱ．射频烧毁

采用扫描电镜（ＳＥＭ）和扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）对国内研制开发的微波ＧａＡｓ功率ＦＥＴ芯片在射频测试中的烧毁进行了分析研究。探讨其烧毁机理及物理过程。

n埋层PSOI结构射频功率LDMOS的输出特性

提出了具有n埋层PSOI(部分SOI)结构的射频功率LDMOS器件.射频功率LDMOS的寄生电容直接影响器件的输出特性.具有n埋层结构的PSOI射频LDMOS,其Ⅰ层下的耗尽层宽度增大,输出电容减小,漏至衬底的结电容比常规LDMOS和PSOI LDMOS分别降低39.1%和26.5%.1dB压缩点处的输出功率以及功率增益比PSOI LDMOS分别提高62%和11.6%,附加功率效率从34.1%增加到37.3%.该结构器件的耐压比体硅LDMOS提高了14%.

射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真

简介了改进的绝缘层上硅横向扩散金属氧化物-半导体(SOI LDMOS)电路模型。根据改进的SOI LDMOS电路模型,采用射频仿真软件进行了射频功率放大器的设计与仿真。该射频功率放大器采用两级放大结构,采用了S参数设计方法和负载牵引方法设计。结果表明放大器的增益达到15dB,输出功率达到25dBm,功率附加效率大于40%。