BUxxJA3DG-C系列车载LDO稳压器 罗姆半导体(中国)有限公司

ROHM面向汽车ADAS(高级驾驶辅助系统)中的传感器和雷达等性能日益提升的小型车载应用,推出LDO稳压器*1IC BUxxJA3DG-C系列(BU12JA3DG-C、BU15JA3DG-C、BU18JA3DG-C、BU25JA3DG-C、BU30JA3DG-C、BU33JA3DG-C)。

一种快速瞬态响应双环路LDO稳压器的设计

通过对传统单环LDO的频域分析,提出一种快速瞬态响应的双环路LDO稳压器结构,在保证单位增益带宽不变的前提下提高直流增益,进而提高LDO电路的瞬态性能。设计采用0.6μm BiCMOS高压工艺,Hspice仿真中输出电容为2.2μF,ESR为0.5Ω,旁路电容为1.0μF。负载电流从20 mA到180 mA变化时,其负载调整率仅为0.6%。

一种快速瞬态响应的无片外电容LDO稳压器设计

基于LDO稳压器的工作原理,设计了一种快速瞬态响应的无片外电容LDO稳压器电路.LDO稳压器主要包括无运放带隙基准源、误差放大器、瞬态响应增强模块、功率调整管及NMOS管反馈网络.提出一种新结构的瞬态响应增强电路,加快功率调整管栅极的充放电速度,实现了快速瞬态响应.电路采用TSMC 0.18μm标准CMOS工艺实现,版图尺寸为190μm×210μm,后仿真结果表明:在输入电压为3.3V时,输出电压为2.15V,轻载与满载之间跳变的建立时间最大为0.6μs,低频时PSRR为-63dB,压差为50mV.

用于LDO稳压器的CMOS基准电压源的设计

LDO稳压器对其中的基准电压电路较高精度要求和较低静态电流要求是一对矛盾,本文折衷设计了一款简单实用的CMOS电压基准电路。仿真结果显示,基准电路静态电流约为35μA,基准电压的温度系数为±15×10^(-6)/℃;低频时电源抑制比为63 dB,电压调整率为0．005。

一种应用于SoC芯片的无片外电容LDO稳压器设计

基于0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种应用于SoC芯片的无片外电容LDO稳压器电路。稳压器电路包括传统的LDO模块和瞬态增强辅助电路模块。源于LDO稳压器的工作原理以及如何增强误差放大器(EA)摆率的思想,提出一种新型的带开关电容瞬态增强电路。LDO稳压器的负载发生瞬态变化时,瞬态增强电路迅速响应,调整输出电压Vout。开关电容导通与关断时能够抑制Vout的跳变和缩短响应后建立时间,克服传统LDO稳压器Vout跳变与建立时间相互制约的缺陷。仿真结果表明:输入电压在1.8~5 V时,输出电压为1.8 V,线性调整率为0.122 mV/V,静态电流为45.3μA,负载阶跃从50μA到50 mA(反之亦然)的恢复时间均小于0.6μs,可满足SoC芯片的更高要求。

一种LDO稳压器内部动态频率补偿电路的设计

针对LDO稳压器需要进行频率补偿的特点,本文在分析了LDO稳压器利用输出电容等效串联电阻(ESR)进行频率补偿原理的基础上,提出了一种新颖的LDO稳压器动态频率补偿方法。

LDO稳压器敏感度建模与仿真技术

基于LDO稳压器在电磁干扰(EMI)下产生直流偏移失效的机理分析,展开敏感度建模与仿真方法研究。使用一款实验芯片,创新地引入片上电压传感器,用于测试EMI在LDO稳压器内部的传播特性。在敏感度建模中,建立等效电路模型,通过直流功能测试,Z参数阻抗特性测试验证模型的正确性,将该模型用于LDO稳压器的敏感度预测。在敏感度仿真过程中,通过分析关键子电路和不断增加寄生元件,仿真不同寄生因素对敏感度影响的权重。将仿真结果与传导直接注入法(DPI)片上测试结果对比,仿真结果与DPI测试在频域1MHz至1GHz匹配。

一种应用于LDO稳压器的CMOS误差放大电路的设计

本文设计了一种应用于集成稳压器的新型误差放大电路,其核心部分采用对称性的差分运算跨导(OTA)结构,并通过嵌套密勒补偿和动态频率补偿技术,显着改善了其性能指标。采用Hynix0.5μmCMOSHspice模型进行仿真后表明,此款带隙基准电路在较宽的频带范围内,增益高于60dB,共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR)为70dB左右。

LDO稳压器对嵌入式系统掉电保护作用的研究

针对嵌入式系统掉电保护的问题,对低压差(LDO)线性稳压器对系统掉电保护的作用进行了研究。实验以基于LPC2138的嵌入式系统为例,测试了压降不同的3款稳压器对系统掉电后工作时间的影响。通过分析实验数据,得出结论:低压降的LDO线性稳压器相对普通的稳压器具有显著的优势,系统掉电后,它能够为系统提供更加充足的时间向外部存储设备写入重要信息。

基于LDO稳压器的带隙基准电压源的设计

基准模块是LDO性稳压器的核心部分，它是影响稳压器精度的关键因素之一。本文针对LDO性稳压器对基准模块一方面有较高的精度要求，另一方面又有较低静态电流要求的矛盾设计了一款简单实用的电压基准电路。仿真结果表明该电路在-40-140℃的温度系数为7．7’10^-6℃，低频时的电源抑制比可达-76dB，基准源电路的供电电压范围为2-4．5V。

应用于LDO稳压器的使能和过温保护电路设计

文中设计了一种应用于LDO线性稳压器的使能和过温保护电路,使芯片在工作温度过高时自动关闭,有效地防止芯片被损坏,待其恢复正常工作状态时自动重新开启各模块。采用Hynix0.5μm CMOS工艺和Hspice软件进行仿真后表明,设计的电路满足设计指标要求,具有优良的性能。

一种用于LDO稳压器的折返式限流电路

本文介绍了一种用于LDO稳压器的折返式限流电路,并针对实际应用中可能出现的问题进行了优化设计。仿真结果表明,对于一款最大带载能力为150mA的LDO稳压器,与常规的恒定电流限制相比,该电路能使系统在限流状态下将功耗减小2/3。

一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计

设计了一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源。以Brokaw带隙基准电压源结构为基础来进行设计。采用Cadence的Spectre仿真工具对电路进行了完整模拟仿真,-20~125℃温度范围内,基准电压温度系数大约为17.4 ppm/℃,输出精度高于所要求的5‰;在1 Hz到10 k Hz频率范围内平均电源抑制比（PSRR）为-46.8 d B。电路实现了良好的温度特性和高精度输出。

浅析LDO稳压器导致单片机复位异常的原因

越来越多的电子设备在电路设计中选择了结构简单成本低的LDO稳压器,本文就笔者在工程实践中遇到的问题,对LDO稳压块的特性以及对单片机复位的影响进行分析。

安森美半导体扩充汽车LDO稳压器阵容，推出5款新集成器件

2011年7月21日，应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体推出5款新的低压降（LDO）及超低压降线性稳压器，用于宽范围汽车应用，这些新器件以节省空间的集成方案提供150mA输出电流，符合汽车制造商对点火系统关闭时极低静态电流的最新要求。

Maxim推出微型1A/500 mA LDO稳压器

Maxim推出低压差（LDO）线性稳压器MAX15027-MAX15030，这些稳压器工作于1．425V～3．6V输入电压，能够提供高达1A（MAX15027／MAX15028）或500mA（MAX15029，MAX15030）的输出电流。另外，MAX15028／MAX15030具有偏置输入，允许器件采用独立电源供电，非常适合作为汽车应用中的不间断电源。偏置输入使关断期间的稳压器输入电流降至仅2μA（最大值）。该系列节省功耗的LDO稳压器在＋70℃时的功耗为1．9W，是网络、存储、服务器和电信设备等多种应用的理想选择。

Intersil推出具有一流压差和瞬态性能的新款LDO稳压器，适用于对噪声敏感的应用

创新电源管理与精密模拟解决方案领先供应商Intersil公司（纳斯达克交易代码；ISIL）今天宣布，推出两款新的高性能单路输出低压差（LDO）稳压器-ISL80510和ISL80505，它们可提供一流的压差和瞬态性能，适用于对噪声敏感的负载。

Vishay推出新型LDO稳压器，用于延长便携电子设备的运行时间

Vishay公司推出新型SiP21110 250 mALDO稳压器，从而扩展了其LDO产品系列。该低成本器件采用可节省空闻的超薄SOT23-5L封装，可在1mA负载时提供35μA的典型低接地电流，真正实现了延长便携电子设备中电池的工作时间的目标。

TI推出大电流LDO稳压器件

德州仪器(TI)近日宣布推出四个系列的LDO稳压器件，它们集成了多项重要的功能，包括大电流输出、低的“输出／输出电压差(LDO)”以及快速的瞬态响应时间。此外，新器件采用了体积小、散热特性非常好的表面贴装技术。

Catalyst推出两款扩展型LDO稳压器CAT6217和CAT6218

模拟、混合信号器件及非挥发性内存厂商Catalyst半导体公司今天宣布其低压差fLDO）稳压器产品线新增两款产品。CAT6217和CAT6218是分别能提供150mA和300mA输出电流的低压差稳压器，厚度仅为1mm，采用小型5引脚SOT23封装。