基于BiC MOS的高精度LDO线性稳压电路

设计了一种基于0．8μm。双阱BiCMOS高压工艺的高精度LDO线性稳压电路．电路采用四管单元带隙基准作温度补偿，多级误差放大反馈结构稳定输出电压，其中直接将带隙基准电路作为误差放大电路的一部分，从而在不增加电路复杂性的基础上，使整个误差放大电路经过多级放大，增益得到大幅提高．Hspice仿真结果表明：电路在较宽的频率范围内，电源抑制比约为85dB；在温度由-20～80℃变化时，其温度系数约为±35×10^-6／℃；电源电压在4．5～28V之间变化时，最坏情况下其线性调整率为0．031mV／V；负载电流由0mA到满载2mA变化时，其负载调整率仅为0．01mV／mA．

新颖的教学用稳压电源的设计

根据职业教学用稳压电源的特点,通过分析低功耗稳压集成电路,采用TL431集成电路的比较特性,实现三段式输入电压自动调节以提高电源效率。设计了符合职教实验电源要求的低功耗,高性价比的教学用稳压电源。