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基于电容倍增技术的LDO补偿方法
被引量:
2
1
作者
应建华
黄杨
+1 位作者
黄萌
丁川
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2009年第11期102-105,共4页
设计了一种低静态电流、高稳定性的LDO稳压器.该电路使用电容倍增技术进行频率补偿,减小了补偿电容值,节省了芯片面积,在负载电流0.1mA和150mA时具有较好的相位裕度.电路采用XFAB0.6μm CMOS工艺模型,最终设计的LDO电路静态功耗17μA,...
设计了一种低静态电流、高稳定性的LDO稳压器.该电路使用电容倍增技术进行频率补偿,减小了补偿电容值,节省了芯片面积,在负载电流0.1mA和150mA时具有较好的相位裕度.电路采用XFAB0.6μm CMOS工艺模型,最终设计的LDO电路静态功耗17μA,最大驱动电流150mA.使用10μF的负载电容,在负载电流变化率为150mA/100μs时,最大过冲为22mV(1.83%).
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关键词
ldo频率补偿
电容倍增
动态偏置
缓冲级
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职称材料
题名
基于电容倍增技术的LDO补偿方法
被引量:
2
1
作者
应建华
黄杨
黄萌
丁川
机构
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2009年第11期102-105,共4页
文摘
设计了一种低静态电流、高稳定性的LDO稳压器.该电路使用电容倍增技术进行频率补偿,减小了补偿电容值,节省了芯片面积,在负载电流0.1mA和150mA时具有较好的相位裕度.电路采用XFAB0.6μm CMOS工艺模型,最终设计的LDO电路静态功耗17μA,最大驱动电流150mA.使用10μF的负载电容,在负载电流变化率为150mA/100μs时,最大过冲为22mV(1.83%).
关键词
ldo频率补偿
电容倍增
动态偏置
缓冲级
Keywords
ldo
frequency compensation
capacitor multiplier
active bias
buffer
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于电容倍增技术的LDO补偿方法
应建华
黄杨
黄萌
丁川
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2009
2
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职称材料
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