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非掺杂半绝缘LECGaAs的光电流谱
被引量:
2
1
作者
杨瑞霞
胡恺生
+1 位作者
周智慧
郭小兵
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期22-24,共3页
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs的非本征室温(300K)光电流谱,在0.40~0.70eV范围发现了一个光响应宽带M1。M1带在0.46、0.49、0.56、0.65和0.69eV处出现五个峰,其中0.46、0.49...
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs的非本征室温(300K)光电流谱,在0.40~0.70eV范围发现了一个光响应宽带M1。M1带在0.46、0.49、0.56、0.65和0.69eV处出现五个峰,其中0.46、0.49、0.56和0.69eV峰的起始阈值分别为0.44、0.47、0.51和0.67eV。本文讨论了M1带的起源,提出了0.44、0.47和0.51eV光电离阈值与铜受主、EL3和氧施主间的可能联系,并研究了M1带与GaAs场效应晶体管漏-源电流光响应特性的关系。
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关键词
lecsigaas
光电流谱
场效应晶体管
砷化镓
下载PDF
职称材料
题名
非掺杂半绝缘LECGaAs的光电流谱
被引量:
2
1
作者
杨瑞霞
胡恺生
周智慧
郭小兵
机构
河北工业大学电子系
天津电子材料研究所
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期22-24,共3页
文摘
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs的非本征室温(300K)光电流谱,在0.40~0.70eV范围发现了一个光响应宽带M1。M1带在0.46、0.49、0.56、0.65和0.69eV处出现五个峰,其中0.46、0.49、0.56和0.69eV峰的起始阈值分别为0.44、0.47、0.51和0.67eV。本文讨论了M1带的起源,提出了0.44、0.47和0.51eV光电离阈值与铜受主、EL3和氧施主间的可能联系,并研究了M1带与GaAs场效应晶体管漏-源电流光响应特性的关系。
关键词
lecsigaas
光电流谱
场效应晶体管
砷化镓
Keywords
LECGaAs, Photocurrent spectrum, Deep level, Field effect transistor
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非掺杂半绝缘LECGaAs的光电流谱
杨瑞霞
胡恺生
周智慧
郭小兵
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
2
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职称材料
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