发光二极管芯片侧面倾角对光萃取效率的影响

通过TracePro光学仿真软件的模拟仿真,研究了不同侧面倾角对LED芯片光萃取效率的影响。建立了侧面倾角为0°、15°、30°以及45°,边长为300μm正方形LED芯片模型;并对其进行光输出仿真。结果表明改变LED芯片侧面倾角可以提高其光萃取效率。当LED的侧面倾角从0°增加到45°时,光萃取效率呈现先增加,后减小的规律。在侧面倾角为30°时,光萃取效率最大,为20.6%;与垂直侧面LED相比,增加约13.2%。