刻蚀深度对GaN基微尺寸LED芯片RC特性的影响

隔离槽的制作是实现阵列芯片单元独立的有效方法。本文采用感应耦合等离子体干法刻蚀(ICP)和具有高刻蚀比的Si O2与光刻胶混合掩膜在Ga N基微尺寸LED上制备了3种深度的隔离槽和6种不同的芯片尺寸结构。通过电致发光(EL)和电容计表征不同刻蚀深度对LED芯片电学性能和电容大小的影响。实验结果表明,小尺寸的芯片有着更高的电流承受密度和更小的电容值,隔离槽刻蚀深度的增加能降低电容和电阻,从而使RC时间常数得到降低。有源层直径为120μm的芯片从仅有Mesa刻蚀到完全刻蚀到蓝宝石衬底,其RC调制带宽从155 MHz增大到176 MHz。减小芯片尺寸和完全刻蚀到蓝宝石衬底能有效减小芯片RC常数。这些工作将有助于Ga N基LED的未来设计和制造,以提高高频可见光通信的调制带宽和光功率。

全自动LED引线键合机焊点快速定位方法的研究

提出了一种定位全自动LED引线键合机焊点位置的新方法。该方法先用图形处理器(graphic processing unit,GPU)对获取的LED微芯片图像进行基于均值查找的自适应窗口大小的中值滤波处理,再通过自适应阈值的图像分割算法确定微芯片的潜在区域,然后将所有潜在区域以位置关系分组存储,利用灰度基本对称特征筛选出每组中的最佳潜在区域,再对选定区域进行加权处理,最后计算质心以精确定位LED微芯片焊点位置。实验结果表明,该检测方法速度快、定位准,而且对LED微芯片形状的一致性无要求,更适合自动化操作,从而提高生产效率。

微尺寸LED阵列芯片封装及其性能的研究

提出了一种针对微尺寸LED阵列芯片的集成封装方法,设计封装了6种发光单元尺寸不一的4×4微尺寸LED阵列芯片,色温控制在6 300 K左右,显色指数约为70。光电性能测试结果表明,发光单元越小,调制带宽越高。发光单元直径为60μm的芯片在90 mA的注入电流下,调制带宽达到了125.71 MHz,而发光单元尺寸越大,饱和光通量越高,直径为160μm的饱和光通量约为15 lm。这些结果将有助于制备可见光通信的白光光源,在保证照明品质的前提下提高调制频率。