LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究

介绍了绿色、红色发光ＧａＰ外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光 （≤３００ｎｍ ） 和蓝光 （４８８ｎｍ ） 激发方式， 在室温下， 有效地观测了ＬＥＤＧａＰｖＮ （掺氮ＧａＰ晶片） 的多峰ＰＬ谱。根据对上述两种发光ＧａＰ外延晶片的相对光强与金属杂质Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ和Ｃｒ （以Ｆｅ 为主） 紫外荧光 （ＵＶＦ） 谱的实测数据的相关性，

优化二维三角晶格实现光子晶体LED健康照明研究

利用COMSOL仿真软件分别模拟不同形状介质柱的二维三角晶格的折射率之比、占空比、几何尺寸及周期等因素对光子带隙位置和宽度的影响。模拟结果发现:当圆形介质柱半径为70nm,占空比为0.25,背景材料折射率为1.6,介质柱折射率为1.92,且折射率虚部为0.05,其他形状介质柱的面积和填充率与圆形介质柱的相同,占空比、折射率也与圆柱形相同时,可得到蓝光成分减少的透射光谱,并将其光谱与AM1.5标准太阳光谱进行相似度对比,发现与AM1.5标准太阳光谱非常接近。所得结论在光子晶体LED光谱调节、滤波、提高发光效率等方面有一定的理论参考价值。

表面粗化提高红光LED的光提取效率

介绍了通过出光表面粗糙化来减少全反射的方法,实验中使用化学湿法腐蚀的技术获得预计的粗糙形貌,结果给出不同参数下的光强和光辐射功率比较,器件的外量子效率得到了约29%的提高。从理论和测试结果两方面阐述了表面粗糙化对提高红光LED外量子效率的机理。

GaN基发光二极管研究与进展

宽禁带 族氮化物基半导体 Ga N是最近研究比较活跃的半导体材料系 ,其高亮度发光二极管一出现即引起广泛的关注 ,并以惊人的速度实现了商品化。文章就 Ga N基半导体二极管的研制和发展概况 ,应用和市场前景 。

第三代半导体材料在LED产业中的发展和应用

LED产业目前发展非常迅速,LED白光照明和全色显示的前景被普遍看好。宽禁带半导体在LED产业中的应用是推动LED产业向前发展的一个重要动力,并已成为很多国家研究和开发的热点。目前宽禁带半导体在LED产业中发展很快,其应用越来越广泛,相关技术也日渐成熟。综述了几种具有代表性的第三代半导体材料在LED产业中的发展和应用以及各自面临的问题。

二维光子晶体提高C波段LED出光效率的研究

片上集成光源是未来光电子系统中光源发展的主要趋势,LED光源作为片上集成光源的主要缺点是其出光效率低,二维光子晶体是提高LED出光效率的有效手段。本工作设计了C波段LED的基本结构及参数,并采用时域有限差分法计算了不同阵列不同占空比的二维光子晶体能带结构,利用禁带理论选取提高C波段LED出光效率的最优二维光子晶体结构参数,结果表明三角排列空气孔二维光子晶体晶格常数a=500nm且占空比Rp=0.44的光子晶体结构最优。

湿法腐蚀GaP对LED性能的影响

采用化学湿法方法对红光LED的p-GaP层进行腐蚀,研究了不同溶液、不同的溶液配比以及不同的腐蚀时间对LED光电性能的影响。结果表明,当腐蚀深度为1μm时,化学溶液采用HCl∶HNO3∶H2O体积比为3∶1∶2时,腐蚀GaP后,样品粗化效果最佳,比未进行粗化的样品亮度提升25%左右。并且腐蚀小孔的深度会随着反应时间的增加而逐渐加深,但样品的发光亮度则表现为先增加后减小。湿法腐蚀因其操作简单,成本低廉,反应条件易控,可适用于工业化大批量生产。

p^+-n^--n结的势垒分布

GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。 根据载流子分布的连续性， 由泊松方程自洽求解， 得出了半导体n^-－n结势垒分布的计算方法。 在此基础上，计入n^-区内的电位降， 计算了商用发光二极管p^+－n^-－n结构的势垒分布， 为整体结构的参数优化准备了必要的条件。

发光二极管基本物理特性测量及研究——介绍一个与节能有关的研究性物理实验

介绍一个与节能有关的研究性物理实验,该实验对发光二极管的基本物理特性进行了研究,可使学生深入理解发光二极管的发光原理、特性及其测量方法.

中国城市化特征与存在问题研究

从城市化水平、规模、区域结构差异、城市发展趋势几个方面描述了政府主导型城市化的特征,并结合体制、城乡分割、土地利用效率、政府激励机制等分析了政府主导型城市化过程存在的问题,主要是城市规模等级与就业的矛盾、虚假城市化、城市化过程农民利益受到侵害、城市规模效益不合理等问题。最后提出未来城市化发展的政策建议。

光子晶体几何结构设计对LED出光效率影响的研究

利用禁带理论、等效介质理论分析了增透机理,研究了一种参数设计方法。采用FDTD方法计算了表面覆盖ITO层的六角排列圆形光子晶体出光效率。计算该结构参数的光子晶体的LED出光效率,结果表明加入ITO层的光子晶体能提高GaN基蓝光LED出光效率2倍,该参数设计思路也为光子晶体设计提供了参考依据。

压敏胶基导热胶带及其应用

压敏胶基导热胶带的主要作用就是在提供粘接功能的同时,填充元器件与散热器接触面间的微观缝隙,降低界面热阻。介绍了导热胶带的结构和功能,以及相关的性能测试。同时简述了导热胶带对LED背光电视中灯条的粘接方案及其优点。

GaP:N LPE片的位错对发光亮度的影响

用化学腐蚀配合扫描电镜（ＳＥＭ）对几种不同来源的国产ＧａＰＮ液相外延（ＬＰＥ）材料及各自的衬底的位错密度ＮＤ和发光亮度进行了测量．结果表明：样品的发光亮度随ＬＰＥ层的ＮＤ降低而升高，降低衬底的ＮＤ可降低ＬＰＥ层的ＮＤ．

GaP:N绿色LEDn_2层载流子浓度的优化

在已报道的ｐ－ｎ２－ｎ１结的势垒分布计算的基础上，对该结构的浓度分布进行了计算。对于正偏情形，计入了ｎ２区产生的压降。考虑到ＧａＰ：ＮＬＥＤ发光区主要在ｐ区，注入效率γ＝ｊｎ/（ｊｎ＋ｊｐ），ｊｎ和ｊｐ分别为电子电流和空穴电流。ｐ区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散；ｎ２区内外加正向偏压时电场不能忽略，空穴又被ｎ２－ｎ１结势垒阻挡（设被完全阻挡），则问题归结为求解有限厚度层中空穴的扩散和复合方程，由边界条件求出空穴扩散电流。将求出的电子扩散电流和空穴扩散电流代入注入效率的表达式即可求得γ。对在合理的参数值范围内的计算结果进行了讨论。分析表明：当ｎ２值在１０１５～１０１６ｃｍ－３范围内时，注入效率较高，与实验结果基本相符。

GaP:N LED p型层厚度的优化

实测数据表明：ＧａＰＮ发光二极管（ＬＥＤ）ｐ型层厚度ｄ为１２～１７μｍ时，管芯光强最高．ｄ增大，一方面可使表面复合的影响减小，提高内量子效率；另一方面又会使内吸收增大，降低抽取效率．综合考虑这两方面的影响，选取有关参数。

基于金属掺杂ITO透明导电层的紫外LED制备

为降低ITO薄膜对紫外波段的光吸收,制备低电压高功率的紫外LED,研究了一种基于金属掺杂ITO透明导电层的365nm紫外LED的制备工艺。利用1cm厚的石英片生长了不同厚度ITO薄膜以及在ITO上掺杂不同金属的新型薄膜,并研究了在不同的退火条件下这种薄膜的电阻和透过率,分析了掺杂金属ITO薄膜的带隙变化。将这种掺杂的ITO薄膜生长在365nm外延片上并完成电极生长,制备成14mil×28mil的正装LED芯片。利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试并对比。实验结果表明:掺Al金属的ITO薄膜能够相对ITO薄膜的带隙提高0.15eV。在600℃退火后,方块电阻降低6.2Ω/□,透过率在356nm处达到90.8%。在120mA注入电流下,365nmLED的电压降低0.3V,功率提高14.7%。ITO薄膜掺金属能够影响薄膜带隙,改变紫光LED光电性能。

发光二极管阵列中上隔离沟槽的设计与制备

分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸。采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2μm深6μm的上隔离沟槽的制作。腐蚀后的上隔离沟槽边缘平整,其深度和宽度可以解决注入电流在相邻像素之间产生的干扰问题。

基于LED显示屏的隐蔽光传输通道

通过程序控制物理隔离计算机LED屏背光亮度,可以产生具有幅度调制特征的光泄漏信号,说明物理隔离计算机存在信息恶意泄漏的风险。因此,概述国内外隐蔽光传输通道的最新研究情况,设计了用于检测LED闪烁的光传感器,能够检测出基于脉冲宽度调制(PWM)的计算机LED显示屏的闪烁频率。通过控制亮度等级微弱变化,对计算机内信息进行光信号的幅度键控调制(ASK)发送,在人眼难以察觉的情况下,能够远距离接收还原泄露信息,从而实现了一种基于LED显示屏的新型隐蔽光传输通道。

一种新型的减小两后尾灯相邻位置灯不亮间隙的结构

针对传统两后尾灯相邻位置灯不亮间隙的影响结构,提出一种可以极大地减小不亮间隙的新型结构,提升后尾灯夜间点亮的外观品质。

转型中的英国继续教育:弥合技能鸿沟

劳动者技能水平对经济的可持续发展至关重要。英国技能体系基于规范资格框架,通过高等教育部门、继续教育部门与雇主的紧密合作,培养具有不同资格等级的技能人才。然而,继续教育部门长期以来面临着受忽视和边缘化的问题,这导致技能资格认证的两极分化和技能人才供给侧的失衡。为了解决技能短缺和技能差距问题,自2015年起,英国政府进行多次审查,并推出一系列关于继续教育与技能的政策和法律。这些政策法律旨在从三个方面提升劳动者技能水平:加强对继续教育部门的拨款力度,将雇主纳入技能体系的核心,以及建立终身技能学习体系。英国政府的总体政策目标是通过这些改革,提供稳定、连贯且高质量的继续教育体系,以实现劳动者技能的增长,有效弥合技能鸿沟,从而促进英国产业经济的发展和综合国力的增强。