用低能电子衍射谱计算过渡金属吸附CO的表面结构

本文用低能电子衍射谱研究了ＣＯ分子吸附在过渡金属上的表面结构。

用低能电子衍射研究清洁Al(100)和Al(110)表面的振动弛豫

前言清洁Al(100)、Al(110)和Al(111)的表面结构,从70年代开展研,并先后发现Al(110)表面存在振动弛豫。但这些结果彼此差别较大。本文采用自建的低能电子衍射动力学理论的能带近似公式,分别对Al(100)、Al(110)和Al(111)表面经理论计算与观测值的比较,结果发现Al(110)和Al(111)表面都存在振动弛豫。而Al(111)表面无此现象。

Si｛111｝的吸附表面结构

利用低能电子衍射研究了金属和非金属吸附在Ｓｉ｛１１１｝表面的表面结构。结果显示出：对Ａｌ、Ｇａ、Ｂｉ和Ａｕ原子，形成α－Ｓｉ｛１１１｝３×３Ｒ３０°－Ｍ或β－Ｓｉ｛１１１｝３×３Ｒ３０°－Ｍ结构的共价吸附。对Ｌｉ、Ｎａ和Ａｇ原子，形成正离子吸附，全部经高温解吸后，便诱导出Ｓｉ｛１１１｝１×３重构。对Ｔｅ原子，形成负离子吸附，经高温解吸后，便诱导出Ｓｉ｛１１１｝类（１×１）结构。

用能带理论计算清洁Ag（111），Ag（110）和Ag（001）表面的弛豫

用一维能带理论计算了清洁Ａｇ（１１１），Ａｇ（１１０）和Ａｇ（００１）表面的弛豫。计算结果显示出，当ｄ１＝２．６４０（膨胀４．２％）和ｄ２＝２．９２０（膨胀２３．８％）〔对ｎｇ（１１１）〕；ｄ１＝１．３７５±０．００８（收缩４．８％±０．００８）［对Ａｇ（１１０）」；ｄ１＝２．０４８±０．００５（膨胀０．２４％±０．００５）［对Ａｇ（００１）〕时，理论计算的ＬＥＥＤ谱与实验非常一致。

Na(110)和Na_2O(111)表面弛豫的研究

研究Na(110)和Na_2O(111)表面的原子结构是表面科学基础理论工作之一,它在光电,光声和频标器件以及超晶格,微结构和纳米等实用技术方面都具有重要意义。 Andersson等在Ni衬底的(100)表面上沉积金属Na,得到了体心立方(bcc)结构,并观测其(110)表面的LEED谱。然后将Na氧化得反荧石型的晶相,并观测其(111)表面的LEED谱。我们采用低能电子衍射的能带近似法,分别计算了Na(110)表面的(00),(10)和(01)束以及Na_2(111)表面的(00),(10)和(11)束的LEED谱,经理论计算与观测值的比较,得到的Na(110)表面原子层间距d=2.91±0.01(收缩3.4%±0.01);Na_2O(111)表面的三个原子层间距d_1=1.17±0.01(膨胀46.3%±0.01),d_2=1.61±0.01(膨胀0.63%±0.01),d_3=0.86±0.01(膨胀7.5%±0.01)。

Pt{111}吸附C_2H_2的表面结构形态分析

本文用低能电子衍射研究了乙炔(C_2H_2)分子吸附在铂金属表面上的表面结构。其结果显示出,原子层间距d_(Pt-C)=1.935±O.001A,d_(C-C)=1.090±0.001A,C_2H_2分子键长l_(C-C)=1.204A,其倾斜角β=25.13°±1.1°。

稀土金属表面的振动弛豫

用ＬＥＥＤ谱，研究了稀土金属表面的振动弛豫。结果表示出，对Ｓｃ｛０００１｝，原子层间距：ｄ１＝２．４１３±０．００１Ａ（收缩８．６％±０．００１Ａ）和ｄ２＝２．６８±０．０２Ａ（膨胀１．５％±０．０２Ａ）。对Ｇｄ｛０００１｝，原子层间距：ｄ１＝２．８０±０．０４Ａ（收缩３．１％±０．０４Ａ）和ｄ２＝２．９６±０．０３Ａ（膨胀２．４％±０．０３Ａ）。对Ｔｂ｛０００１｝，原子层间距：ｄ１＝２．７５±０．０３Ａ（收缩３．３％±０．０３Ａ），ｄ２＝２．８５±０．０１Ａ（膨胀０．１８％±０．０１Ａ）和ｄ３＝２．９８±０．０３Ａ（膨胀４．７％±０．０３Ａ）。对Ｔｂ｛１１２０｝，原子层间距：ｄ１＝１．６５±０．０２Ａ（收缩８．３％±０．０２Ａ）和ｄ２＝１．８０±０．０４Ａ（膨胀０．０６％±０．０４Ａ）

用低能电子衍射研究ⅢA-ⅤA化合物{110}表面吸附Sb和Bi的表面结构

用低能电子衍射研究了Sb和Bi吸附在InP{110}和GaAs{110}表面上的表面结构。结果显示出:对Sb/InP{110},表面原子层间距:d_(1)=0.27±0.03,d_(2)=2.15±0.02和d_(3)=2.27±0.02(膨胀9.4%±0.02);旋转角ω_(1)为-10.77°±1.29°和ω_(2)为15.26°±0.82°;吸附键长lc_(1)-A=2.84±0.05,lc_(2)-B=2.75±0.02,其键角a=101.21°±2.1°,β=107.86°±0.84°;吸附层键长lc_(1)-c_(2)=2.88±0.01,其键角θ0=92.25°±0.42°对Bi/InP{110},表面原子层间距:d_(1)=0.26±0.04,d_(2)=2.18±0.03和d_(3)=2.32±0.03(膨胀11.8%±0.03);旋转角ω_(1)为-10.57°±1.67°和ω_(2)为19.7°±2.19°;吸附键长lc_(1-A)=2.84±0.03,lc_(2-B)=2.81±0.04,其键角a=102.53°±1.3°,β=108.99°±0.84°;吸附层键长lc_(1)-c_(2)=2.89±0.02,其键角,θ_(b)=91.83°±0.84°.对Sb/GaAs{110},表面原子层间距:山=0.23±0.04Å,d₂=2.21±0.02Å和d=2.35±0.02Å(膨胀16.6%±0.02A);旋转角为-9.41°±0.35°和为29.64°±2.04°;吸附键长l c-x=2.81士0.01A+-s=2.91士0.02Å,其键角a=109.04A士0.12°,β=107.8"±0.84°;吸附层键长lc_(1)-c_(2)=2.790±0.003A,其键角6=91.53°±0.21°。