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VLSI金属互连线电迁移噪声检测敏感性的逾渗模拟 被引量:1
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作者 李宇博 马中发 张鹏 《现代电子技术》 2010年第14期186-189,共4页
在电迁移物理机制的基础上结合逾渗理论,建立了一种金属互连线电迁移的逾渗模型。基于该模型,采用蒙特卡罗方法模拟了超大规模集成电路(VLSI)金属互连线电迁移过程中电阻和低频噪声参数的变化规律。结果表明,与传统的电阻测量方法相比,... 在电迁移物理机制的基础上结合逾渗理论,建立了一种金属互连线电迁移的逾渗模型。基于该模型,采用蒙特卡罗方法模拟了超大规模集成电路(VLSI)金属互连线电迁移过程中电阻和低频噪声参数的变化规律。结果表明,与传统的电阻测量方法相比,低频噪声表征方法对电迁移损伤更敏感,检测的效率更高。该研究结果为低频噪声表征VLSI金属互连线电迁移损伤的检测方法提供了理论依据。 展开更多
关键词 电迁移 lf噪声 逾渗模拟 敏感性
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D类音频系统中斩波运放电路的设计 被引量:1
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作者 徐光煜 颜永红 《微计算机信息》 2009年第20期232-234,共3页
本文提出了一种应用于D类音频系统的低噪声斩波运放电路。该电路主运放采用全差分电路结构,具有很高的PSRR和电压摆幅,同时采用T/H解调技术,有效地降低了低频噪声和残余电压失调。仿真结果表明在5V电源电压下,斩波频率150KHz时,输入等... 本文提出了一种应用于D类音频系统的低噪声斩波运放电路。该电路主运放采用全差分电路结构,具有很高的PSRR和电压摆幅,同时采用T/H解调技术,有效地降低了低频噪声和残余电压失调。仿真结果表明在5V电源电压下,斩波频率150KHz时,输入等效噪声为31.12nV/(Hz)^(1/2),满足D类功放的要求。该电路已在SMIC 0.35um N阱工艺上MPW流片成功,功能测试正常。 展开更多
关键词 音频放大器 残余电压失调 1lf噪声 T/H解调
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浅谈曹禺大剧院声学措施的重要性
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作者 夏媛 《演艺科技》 2018年第11期28-30,共3页
介绍曹禺大剧院的项目概述、建声设计指标、装修用材的建声要求、建声检测结果,进行分析总结。
关键词 混响时间T30 语言清晰度D50 侧向反射系数lf:本底噪声MR
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