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发展MOCVD技术制造LED芯片
被引量:
4
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作者
廖常俊
李春吉
+1 位作者
黄钊洪
刘颂豪
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期18-20,共3页
本文建议以金属有机化学汽相沉积外延技术制造高亮度发光二极管芯片的外延层。为了发展我国发光二极管的技术与产业,由高等院校与工厂联手合作是正确和有效的道路。
关键词
发光二极管
外延技术
MOCVD
lfd芯片
下载PDF
职称材料
题名
发展MOCVD技术制造LED芯片
被引量:
4
1
作者
廖常俊
李春吉
黄钊洪
刘颂豪
机构
华南师范大学量子电子学研究所
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期18-20,共3页
文摘
本文建议以金属有机化学汽相沉积外延技术制造高亮度发光二极管芯片的外延层。为了发展我国发光二极管的技术与产业,由高等院校与工厂联手合作是正确和有效的道路。
关键词
发光二极管
外延技术
MOCVD
lfd芯片
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
TN405.984 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
发展MOCVD技术制造LED芯片
廖常俊
李春吉
黄钊洪
刘颂豪
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
1995
4
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