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发展MOCVD技术制造LED芯片 被引量:4
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作者 廖常俊 李春吉 +1 位作者 黄钊洪 刘颂豪 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期18-20,共3页
本文建议以金属有机化学汽相沉积外延技术制造高亮度发光二极管芯片的外延层。为了发展我国发光二极管的技术与产业,由高等院校与工厂联手合作是正确和有效的道路。
关键词 发光二极管 外延技术 MOCVD lfd芯片
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