恩智浦扩充Trench 6 MOSFET产品线推出Power SO-8LFPAK封装60 V和100V新器件

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）日前宣布推出全新60V和100V晶体管，扩充Trench 6 MOSFET产品线。新产品采用Power SO-8LFPAK封装，支持60V和100V两种工作电压。Trench6芯片技术和高性能LFPAK列装工艺的整合赋予新产品出色的性能和可靠性，为客户提供众多实用价值。

恩智浦发布了符合汽车工业标准的LFPAK封装功率MOSFET

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是世界上高度可靠的功率SO-8封装。

以LFPAK为封装的汽车功率MOSFET系列

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）发布了以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOS．FET。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是高度可靠的功率SO—8封装。

恩智浦推出全球首款低于1Ω、采用Power SO8封装的MOSFET

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出全球首款N通道、1mΩ以下25VMOSFET产品,型号为PSMN1R2-25YL,它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装（无损耗封装：LFPAK）中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power—S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体．可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势．

恩智浦发布符合汽车工业标准的LFPAK功率SO-8MOSFET系列产品

恩智浦半导体近日成为首个发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET的供应商。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q1O1标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是世界上高度可靠的功率SO一8封装。LFPAK封装针对高密度汽车应用进行了优化，其面积比DPAK封装减小了46％而具有与DPAK封装近似的热性能。

恩智浦NextPower MOSFET全面提升效率

恩智浦半导体NXP Semiconductors N．V．宣布，其采用LFPAK封装的Next Power系列25V和30VMOS—FET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOS—FET系列的最新成员在6个关键参数方面找到了最佳平衡点，并且具有极低的RDS（on）（25V和30V均为亚1mΩ级），是高性能、高可靠性开关应用的理想之选。

PSMN1R2-25YL：MOSFET

NXP推出N通道、1mΩ以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有低导通电阻RDS（ON）以及一流的FOM参数。新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封装与最新Trench6硅技术于一体，可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势，如电源OR—ring、电机控制和高效同步降压器等。

产品速递

恩智浦NextPower系列再添新成员 恩智浦半导体近日宣布，其采用LFPAK封装的NextPower系NZ5V和30VMOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点，并且具有行业最低的RDS（on）（25V和30V均为亚1mΩ级），是高性能、高可靠性开关应用的理想之选。

恩智浦NextPower系列MOSFET产品再添15款新成员

恩智浦半导体宣布,其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点,并且具有行业最低的RDS（on）（25V和30V均为亚1mΩ级）,是高性能、高可靠性开关应用的理想之选。