期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
横向高压器件LIGBT的新型结构 被引量:1
1
作者 张国海 杨媛 高勇 《半导体杂志》 1998年第4期45-50,共6页
围绕传统型横向高压器件LIGBT存在的关断时间较长和闩锁电流密度较小等缺点。
关键词 ligbt 结构 关断时间 闩锁效应 功率器件 IC
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部