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横向高压器件LIGBT的新型结构
被引量:
1
1
作者
张国海
杨媛
高勇
《半导体杂志》
1998年第4期45-50,共6页
围绕传统型横向高压器件LIGBT存在的关断时间较长和闩锁电流密度较小等缺点。
关键词
ligbt
结构
关断时间
闩锁效应
功率器件
IC
下载PDF
职称材料
题名
横向高压器件LIGBT的新型结构
被引量:
1
1
作者
张国海
杨媛
高勇
机构
西安理工大学电子工程系
出处
《半导体杂志》
1998年第4期45-50,共6页
文摘
围绕传统型横向高压器件LIGBT存在的关断时间较长和闩锁电流密度较小等缺点。
关键词
ligbt
结构
关断时间
闩锁效应
功率器件
IC
Keywords
ligbt new structure turn off time latch up effect
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
横向高压器件LIGBT的新型结构
张国海
杨媛
高勇
《半导体杂志》
1998
1
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