激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布

采用非接触式激光／微波光电导衰减技术（ＬＭＰＣＤ）对Φ５０．８ｍｍ双面抛光的半绝缘ＧａＡｓ晶片的复合寿命进行了无损伤检测，得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线。结果表明，复合寿命为几百纳秒，在径向呈“Ｍ”型分布，和半绝缘ＧａＡｓ晶片中ＥＰＤ的“Ｗ”型分布相反。在考虑了位错密度和掺杂浓度对寿命的影响的基础上，对ＧａＡｓ晶片的寿命进行了讨论。