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TI LMG3410R050 GaN功率放大级解决方案
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《世界电子元器件》 2019年第1期77-80,共4页
TI公司的LMG3410R050是具有过流保护的600-V 50-mΩGaN功率放大级,比硅MOSFET具有固有的优势包括超低输入和输出电容,零反向恢复以降低开关损耗达80%之多,以及低开关节点振铃以降低EMI,20ns传输时延用于MHz工作,25-100V/ns用户可调转换... TI公司的LMG3410R050是具有过流保护的600-V 50-mΩGaN功率放大级,比硅MOSFET具有固有的优势包括超低输入和输出电容,零反向恢复以降低开关损耗达80%之多,以及低开关节点振铃以降低EMI,20ns传输时延用于MHz工作,25-100V/ns用户可调转换速率,具有强健的保护,不需要外接保护元件,主要用在高密度工业和消费类电源,多级转换器,太阳能逆变器,工业马达驱动. 展开更多
关键词 TI lmg3410r050 GAN 功率放大 FET
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