接口电路LN4993失效机理分析

通过对接口电路LN4993几次现场失效及厂家筛选中失效电路的分析，并做了ESD试验模拟试验，总结出LN4993几种失效模式，探讨其失效机理，发现这种NMOS电路ESD损伤阈值为1500V，电路失效多数是过电应力（EOS）或静电损伤（ESD）造成。