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ESD保护器件栅接地N型MOS管开启后区域模拟方法
1
作者 刘瑶 高英俊 《广西科学》 CAS 2009年第2期154-157,共4页
基于ESD应力下栅接地N型MOS管(GGNMOS)的工作特性,提出2种开启后区域的器件级模型结构和相应的参数提取方法,并利用Matlab分别基于两种模型对不同工艺参数的样品进行模拟,获得相应的I-V特性曲线。虽然模型1比模型2简单,而且需要的参数少... 基于ESD应力下栅接地N型MOS管(GGNMOS)的工作特性,提出2种开启后区域的器件级模型结构和相应的参数提取方法,并利用Matlab分别基于两种模型对不同工艺参数的样品进行模拟,获得相应的I-V特性曲线。虽然模型1比模型2简单,而且需要的参数少,但是模型2比模型1更为精确,与实际情况更吻合,更加能够反映出工艺参数对样品开启后特性的影响。 展开更多
关键词 ESD GGNMOS 模拟仿真 lnpn开启
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