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掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟
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作者 陈张海 陈忠辉 +4 位作者 刘普霖 石晓红 史国良 胡灿明 沈学础 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期447-451,共5页
本文基于一个伴随LO声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型,采用MonteCarlo方法,对掺施主杂质的半导体光电导谱中与LO声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟,并与Si掺杂的GaAs及InP的实验结果作了比较.
关键词 lo声子 掺杂 半导体 光电导响应
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InGaN合金中LO声子-等离子激元耦合模的研究
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作者 王瑞敏 陈光德 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期138-141,共4页
分别采用532,488 nm可见光和325 nm紫外光激发,对金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的六方相InGaN/GaN薄膜样品在室温和78 K低温下的拉曼散射谱进行了研究。在可见光激发时,E2模和A1(LO)模的散射信号主要来自GaN层;采用紫外光... 分别采用532,488 nm可见光和325 nm紫外光激发,对金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的六方相InGaN/GaN薄膜样品在室温和78 K低温下的拉曼散射谱进行了研究。在可见光激发时,E2模和A1(LO)模的散射信号主要来自GaN层;采用紫外光激发时,A1(LO)模向低频方向移动且共振增强,此散射信号来自InGaN层。在可见光激发的情况下,在A1(LO)模的高频方向观察到一个宽峰,此宽峰为InGaN的LO声子-等离子激元耦合模,根据耦合模频率得到InGaN层中的电子浓度为ne=1.61×1018cm-3。紫外光激发时,没有观察到耦合模,A1(LO)模散射信号主要来自样品表面耗尽层,由此估算样品中的耗尽层宽度大约在40 nm。此外,还对比分析了在室温和78 K低温下LO声子-等离子激元耦合模的散射强度的变化规律,计算了不同温度下等离子激元的屏蔽波矢。这些结论对于了解InGaN材料的基本性质以及氮化物光电器件的开发利用都有重要参考价值。 展开更多
关键词 InGaN合金 拉曼散射光谱 lo声子-等离激元耦合模
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LO声子对强耦合表面极化子基态能量的影响
3
作者 徐磊 郭振平 《延边大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第2期105-107,共3页
研究表面极化子的性质对极性材料的应用有着很重要的意义.本文对强耦合表面极化子,只考虑SO声子以及同时考虑SO声子和LO声子影响的两种情况进行了分析,并利用Landau-Pekar变分法计算了表面极化子的基态能量,画图比较了两种情况下基态能... 研究表面极化子的性质对极性材料的应用有着很重要的意义.本文对强耦合表面极化子,只考虑SO声子以及同时考虑SO声子和LO声子影响的两种情况进行了分析,并利用Landau-Pekar变分法计算了表面极化子的基态能量,画图比较了两种情况下基态能量的变化. 展开更多
关键词 lo声子 强耦合 Landau-Pekar变分法 极化
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考虑LO声子影响时电子和空穴的有效作用能
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作者 霍海燕 《内蒙古石油化工》 CAS 2007年第12期54-55,共2页
讨论极化晶体中LO声子与瓦尼尔—莫特激子的相互作用,考虑电子有效质量和空穴有效质量不相等情况下,电子和空穴的有效作用势能,并对结果进行讨论。
关键词 lo声子 空穴
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量子阱中电子-LO声子相互作用引起共振喇曼散射的不对称线形 被引量:1
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作者 金奎娟 潘少华 杨国桢 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期299-304,共6页
提出在量子阱中,由于连续态电子与LO声子相互作用,通过对量子阱进行某种设计,并以特定的激光频率入射,可以导致Raman 谱中很强的Fano现象.以GaAs-Al_2Ga_(1-x)As为例计算了几种量子阱结构下的不对称参量q,并给出了相应的Fano线形.
关键词 lo声子 相互作用 共振喇曼散射
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Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率 被引量:1
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作者 陈茜 王海龙 +2 位作者 汪辉 龚谦 宋志棠 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第22期345-350,共6页
在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律.计算结果表明:在In组分恒定的情况... 在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律.计算结果表明:在In组分恒定的情况下,随着N组分的增加,散射率和平均散射率增加;在N组分恒定的情况下,随着In组分的增加,散射率和平均散射率减小;随着温度的增加,在温度较低时散射率和平均散射率随温度的增加变化不大,在温度较高时随温度的增加而增加;随着阱宽的增加,散射率和平均散射率都是先增加到一个最大值,然后再减小,最大值出现在阱宽200 A附近.计算结果对Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱在光电子器件应用方面有一定的指导意义. 展开更多
关键词 费米黄金规则 Ga1-xInxNyAs1-y GAAS量 lo声子 散射率
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极性晶体膜中电子-表面声子强耦合极化子的自陷能 被引量:5
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作者 额尔敦朝鲁 肖景林 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期231-236,共6页
采用Huybrechts线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子与体纵光学声子弱耦合、与表面光学声子强耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对KCl晶体进行了数值计算,结果... 采用Huybrechts线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子与体纵光学声子弱耦合、与表面光学声子强耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对KCl晶体进行了数值计算,结果表明。 展开更多
关键词 极性晶体膜 极化 自陷能 lo声子 SO
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磁场中多原子晶体中极化子的激发能量 被引量:2
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作者 王成舜 刘亚民 肖景林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期363-366,共4页
研究磁场中多原子晶体中极化子的激发态的性质。采用线性组合算符和幺正变换方法,分别导出强、弱耦合情形下磁极化子的激发能量和平均声子数。结果表明,磁极化子的激发能量和平均声子数不仅包括不同支LO声子与电子耦合的贡献,而且还存... 研究磁场中多原子晶体中极化子的激发态的性质。采用线性组合算符和幺正变换方法,分别导出强、弱耦合情形下磁极化子的激发能量和平均声子数。结果表明,磁极化子的激发能量和平均声子数不仅包括不同支LO声子与电子耦合的贡献,而且还存在不同支LO声子间相互作用所贡献的附加项。 展开更多
关键词 多原晶体 磁场 磁极化 激发能量 激发态 线性组合算符 幺正变换 平均 lo声子 光学
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Temperature Effects of Parabolic Linear Bound Potential and Coulomb Bound Potential Quantum Dot Qubit 被引量:2
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作者 CHEN Ying-Jie XIAO Jing-Lin 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2009年第10期601-605,共5页
On the condition of electric-LO phonon strong coupling in a parabolic quantum dot,we obtain theeigenenergy and the eigenfunctions of the ground state and the first-excited state using the variational method ofPekar ty... On the condition of electric-LO phonon strong coupling in a parabolic quantum dot,we obtain theeigenenergy and the eigenfunctions of the ground state and the first-excited state using the variational method ofPekar type.This system in a quantum dot may be employed as a two-level quantum system-qubit.When the electronis in the superposition state of the ground state and the first-excited state,we obtain the time evolution of the electrondensity.The relations of the probability density of electron on the temperature and the electron-LO-phonon couplingconstant and the relations of the period of oscillation on the temperature,the electron-LO-phonon coupling constant,the Coulomb binding parameter and the confinement length are derived.The results show that the probability densityof electron oscillates with a period when the electron is in the superposition state of the ground and the first-excitedstate,and show that there are different laws that the probability density of electron and the period of oscillation changewith the temperature and the electron-LO-phonon coupling constant when the temperature is lower or higher.Andit is obtained that the period of oscillation decreases with increasing the Coulomb bound potential and increases withincreasing the confinement length not only at lower temperatures but also at higher temperatures. 展开更多
关键词 quantum dot QUBIT Coulomb potential temperature effect
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MOCVD法生长的ZnSe外延单晶膜的光致发射光谱特性的研究
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作者 江向平 江风益 +2 位作者 程齐贤 潘传康 肖新民 《南昌大学学报(工科版)》 CAS 1991年第4期51-55,共5页
本文研究了在MOCVD系统上生长的ZnSe单晶膜的光致发光特性,观察到77K下自由激子发射,束缚激子发射,施主受主对发射及其声子伴线。Raman背散射测量表明ZnSe LO声子能量31mev。
关键词 自由激 束缚激去谱 施主受主对DAP lo声子
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Two—Electron Energy Spectrum in a Parabolic Quantum Dot Under a Magnetic Field 被引量:4
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作者 XIEWen-Fang 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2003年第4期477-480,共4页
Two interacting electrons in a harmonic oscillator potential under the influence of a perpendicular homo-geneous magnetic field are considered. The energies of two-electron quantum dots with the electron-LO-phonon cou... Two interacting electrons in a harmonic oscillator potential under the influence of a perpendicular homo-geneous magnetic field are considered. The energies of two-electron quantum dots with the electron-LO-phonon couplingas a function of magnetic field are calculated. Calculations are made by using the method of few-body physics withinthe effective-mass approximation. Our results show that the electron-LO-phonon coupling effect is very important insemiconductor quantum dots. 展开更多
关键词 electron-lo-phonon coupling quantum dot few-body physics
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Influence of temperature and LO phonon on the effective mass of bipolarons in polar semiconductor quantum dots
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作者 辛伟 高忠明 +1 位作者 韩超 额尔敦朝鲁 《Optoelectronics Letters》 EI 2012年第6期477-480,共4页
The temperature and LO phonon effects of the bipolaron in polar semiconductor quantum dots (QDs) are studied by using the Tokuda modified linear-combination operator method and the Lee-Low-Pines variational method. ... The temperature and LO phonon effects of the bipolaron in polar semiconductor quantum dots (QDs) are studied by using the Tokuda modified linear-combination operator method and the Lee-Low-Pines variational method. The expressions for the mean number ofLO phonons and the effective mass of the bipolaron are derived. Numerical results show that the mean number of LO phonons of the bipolaron decreases with increasing the temperature and the relative distance r between two electrons, but increases with increasing the electron-phonon coupling strength a The effective mass of the bipolaron M* increases rapidly with increasing the relative distance r between two electrons when r is smaller, and it reaches a maximum at r ≈ 4.05rp, while after that, 34* decreases slowly with increasing r. The effective mass of the bipolaron M' decreases with increasing the temperature. The electron-phonon coupling strength a markedly influences the changes of mean number of LO phonons and the effective mass M* with the relative distance r and the temperature parameter y. 展开更多
关键词 Electron correlations ELECTRON phonon interactions Semiconductor quantum dots
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六方相InGaN外延膜的显微Raman散射 被引量:5
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作者 王瑞敏 陈光德 竹有章 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期914-919,共6页
用X射线衍射(XRD)技术和显微Raman散射方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的六方相In_xGa_(1-x)N薄膜样品进行了研究,观察到了相分离现象和LO声子-等离子耦合模(LPP+),讨论了In_xGa_(1-x)N的A1(LO)模被屏蔽的主要物理机制.同时,对... 用X射线衍射(XRD)技术和显微Raman散射方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的六方相In_xGa_(1-x)N薄膜样品进行了研究,观察到了相分离现象和LO声子-等离子耦合模(LPP+),讨论了In_xGa_(1-x)N的A1(LO)模被屏蔽的主要物理机制.同时,对Raman谱中E2和A1(TO)声子模进行了分析和讨论.在In_xGa_(1-x)N样品的低温Raman谱中还观察到单电子跃迁产生的Raman散射信号. 展开更多
关键词 RAMAN散射 X射线衍射 相分离 应力 lo声子-等离耦合
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