低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)沉积的氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))具有质量高、副产物少、厚度均匀性好等特性,常应用于局部氧化的掩蔽膜、电容的介质膜、层间绝缘膜等工艺制程。介绍低压化学气相沉...低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)沉积的氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))具有质量高、副产物少、厚度均匀性好等特性,常应用于局部氧化的掩蔽膜、电容的介质膜、层间绝缘膜等工艺制程。介绍低压化学气相沉积氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))的制备工艺,以及不同工艺参数的调试对氮化硅薄膜均匀性和沉积速率的影响。展开更多
文摘低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)沉积的氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))具有质量高、副产物少、厚度均匀性好等特性,常应用于局部氧化的掩蔽膜、电容的介质膜、层间绝缘膜等工艺制程。介绍低压化学气相沉积氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))的制备工艺,以及不同工艺参数的调试对氮化硅薄膜均匀性和沉积速率的影响。