炉管制程工艺中的片数效应及其优化方案

随着半导体技术的发展,越来越多的立式炉管在200mm及300mm集成电路晶圆制造中被应用到。同时炉管制程中的片数效应随着集成电路芯片的集成度越来越高而被凸显出来。文章将以LPCVD氮化硅在0.16μm、64M堆叠式内存制造过程中的片数效应为例,阐述炉管制程工艺中的片数效应以及通过调整制程参数(温度、沉积时间)的方式予以解决的实例。文中通过调整炉管上中下的温度来补偿气体的分布不均匀,调整沉积时间来补偿不同片数的沉积速率的差异,两者结合并辅以基于片数的分片程式来解氮化硅电介质沉积的片数效应。同时以此为基础总结出炉管片数效应的解决方案。

适用于沉积工艺的真空技术

半导体生产中的薄膜沉积工艺通常对真空泵的要求很严格。在该工艺中高故障率和停机现象较为普遍。iH真空泵是特别为应付恶劣的薄膜工艺环境所设计。阐述了iH系列干泵在LPCVD氮化硅工艺应用中的成功表现。

无油真空泵在半导体生产中的应用

目前的半导体生产企业越来越多地用无油真空泵（干泵）来取代传统的旋片式真空泵（油泵），原因很简单，干泵的运行成本比油泵低得多，而且相对洁净，寿命长，在半导体生产中油泵的致命缺陷在于需使用昂贵的PFPE油。并且在CVD工艺，刻蚀，扩散等工艺上需经常做保养并换油，这使干泵无疑成为这些苛刻的半导体工艺的最佳选择。