低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)沉积的氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))具有质量高、副产物少、厚度均匀性好等特性,常应用于局部氧化的掩蔽膜、电容的介质膜、层间绝缘膜等工艺制程。介绍低压化学气相沉...低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)沉积的氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))具有质量高、副产物少、厚度均匀性好等特性,常应用于局部氧化的掩蔽膜、电容的介质膜、层间绝缘膜等工艺制程。介绍低压化学气相沉积氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))的制备工艺,以及不同工艺参数的调试对氮化硅薄膜均匀性和沉积速率的影响。展开更多
报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析了富硅型 Si Nx 膜...报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析了富硅型 Si Nx 膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响 ,对富硅型 Si Nx 膜的 L PCVD生长工艺进行优化 ,大大降低了膜的张应力 ,无支撑成膜面积可达 4 0 m m× 4 0 mm.通过这一研究结果 ,实现了 L PCVD可控制生长确定张应力的 Si Nx展开更多
以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourie...以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiN_x薄膜的性质,并利用原子力显微镜观察了SiN_x薄膜的微观形貌。在其它工艺条件相同的情况下,SiN_x薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。当R<2时获得富Si的SiN_x薄膜(x<1.33);当R>4时获得近化学计量(z≈1.33)的SiN_x薄膜。展开更多
文摘低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)沉积的氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))具有质量高、副产物少、厚度均匀性好等特性,常应用于局部氧化的掩蔽膜、电容的介质膜、层间绝缘膜等工艺制程。介绍低压化学气相沉积氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))的制备工艺,以及不同工艺参数的调试对氮化硅薄膜均匀性和沉积速率的影响。
文摘报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析了富硅型 Si Nx 膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响 ,对富硅型 Si Nx 膜的 L PCVD生长工艺进行优化 ,大大降低了膜的张应力 ,无支撑成膜面积可达 4 0 m m× 4 0 mm.通过这一研究结果 ,实现了 L PCVD可控制生长确定张应力的 Si Nx
文摘以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiN_x薄膜的性质,并利用原子力显微镜观察了SiN_x薄膜的微观形貌。在其它工艺条件相同的情况下,SiN_x薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。当R<2时获得富Si的SiN_x薄膜(x<1.33);当R>4时获得近化学计量(z≈1.33)的SiN_x薄膜。