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干摩擦工况下氮化硅基底制备CrAlN涂层工艺参数优化
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作者 陆鹤 吴玉厚 +5 位作者 刘子金 王贺 闫广宇 白旭 郭建成 郑桐翔 《工具技术》 北大核心 2024年第10期20-26,共7页
为了延长氮化硅材料在干摩擦工况下的使用寿命,采用射频磁控溅射技术在氮化硅基底制备CrAlN涂层。利用正交试验法,以CrAlN涂层的干摩擦磨损率为试验指标,探究溅射时间、基底温度、氮气流量和溅射功率对涂层干摩擦工况下摩擦学性能的影... 为了延长氮化硅材料在干摩擦工况下的使用寿命,采用射频磁控溅射技术在氮化硅基底制备CrAlN涂层。利用正交试验法,以CrAlN涂层的干摩擦磨损率为试验指标,探究溅射时间、基底温度、氮气流量和溅射功率对涂层干摩擦工况下摩擦学性能的影响。利用超景深显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、摩擦磨损试验机、轮廓粗糙度测试仪和能谱仪(EDS)分析CrAlN涂层的微观形貌、晶体结构、化学成分和表面摩擦学性能,得到优化的工艺参数。分析结果表明,基底温度和溅射功率对CrAlN涂层磨损率的影响程度较大,溅射时间和氮气流量对CrAlN涂层磨损率的影响程度较小。在溅射时间为240min、基底温度为350℃、氮气流量为40sccm和溅射功率为120W的工艺参数下,CrAlN涂层的干摩擦摩擦学性能较好。研究结果可为氮化硅基底在干摩擦工况下应用CrAlN涂层的工艺参数设定提供数据支撑。 展开更多
关键词 氮化硅陶瓷 干摩擦 CrAlN涂层 正交试验 工艺优化
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8英寸晶圆低损耗厚氮化硅波导的工艺开发
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作者 丛庆宇 李赵一 +3 位作者 周敬杰 范作文 贾连希 胡挺 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期93-103,共11页
在8英寸晶圆上制备氮化硅膜厚度超过400 nm时,产生的拉伸应力会使薄膜产生裂纹,为此,采用大马士革工艺,通过低压化学气相沉积分两步沉积、抛光氮化硅薄膜,同时结合棋盘格结构,减小应力,降低薄膜出现裂纹的风险。使用此方法成功在8英寸... 在8英寸晶圆上制备氮化硅膜厚度超过400 nm时,产生的拉伸应力会使薄膜产生裂纹,为此,采用大马士革工艺,通过低压化学气相沉积分两步沉积、抛光氮化硅薄膜,同时结合棋盘格结构,减小应力,降低薄膜出现裂纹的风险。使用此方法成功在8英寸晶片上制造了截面尺寸为800 nm×0.8µm的氮化硅波导。两步沉积过后进行两次退火处理,可以进一步降低波导损耗,通过采用cut-back的方式测试波导传输损耗在1550 nm处为0.087 dB/cm,在1580 nm处为0.062 dB/cm。波导的弯曲损耗在半径为50µm时为0.0065 dB,在半径为80µm时仅为0.006 dB。 展开更多
关键词 光电子学 光波导 8英寸 氮化硅 低压化学气相沉积 工艺优化 低损耗
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LPCVD氮化硅薄膜的制备工艺 被引量:3
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作者 冯海玉 黄元庆 冯勇健 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第B08期362-364,共3页
氮化硅(Si3N4)薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛.简要介绍了Si3N4膜的制备方法及CVD法制备的Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调整炉温使批量生产的淀积膜的均匀性达到技... 氮化硅(Si3N4)薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛.简要介绍了Si3N4膜的制备方法及CVD法制备的Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调整炉温使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求. 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 lpcvd 制备工艺 低压化学气相淀积
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低压化学气相沉积氮化硅薄膜工艺研究
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作者 刘宗芳 尤益辉 LEE Choonghyun 《智能物联技术》 2024年第1期81-84,共4页
低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)沉积的氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))具有质量高、副产物少、厚度均匀性好等特性,常应用于局部氧化的掩蔽膜、电容的介质膜、层间绝缘膜等工艺制程。介绍低压化学气相沉... 低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)沉积的氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))具有质量高、副产物少、厚度均匀性好等特性,常应用于局部氧化的掩蔽膜、电容的介质膜、层间绝缘膜等工艺制程。介绍低压化学气相沉积氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))的制备工艺,以及不同工艺参数的调试对氮化硅薄膜均匀性和沉积速率的影响。 展开更多
关键词 低压化学气相沉积(lpcvd) 氮化硅薄膜 均匀性 沉积速率
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SiH_2Cl_2-NH_3-N_2体系LPCVD氮化硅薄膜生长工艺 被引量:1
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作者 李学文 彭志坚 《电子工业专用设备》 2008年第12期30-33,共4页
以自行研制的LPCVD设备所进行的工艺试验为基础,简要介绍了Si3N4薄膜的制备方法和LPCVD法制备的Si3N4薄膜的特性以及低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺。通过调节淀积温度、工艺气体流量、工艺压力及片距等工艺参数,最终使批量生产... 以自行研制的LPCVD设备所进行的工艺试验为基础,简要介绍了Si3N4薄膜的制备方法和LPCVD法制备的Si3N4薄膜的特性以及低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺。通过调节淀积温度、工艺气体流量、工艺压力及片距等工艺参数,最终使批量生产的氮化硅薄膜在均匀性、应力、耐腐蚀等方面均达到了使用要求。 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 lpcvd 工艺温度 工艺压力 气体流量 均匀性
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LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力 被引量:14
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作者 陈大鹏 叶甜春 +4 位作者 谢常青 李兵 赵玲莉 韩敬东 胥兴才 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1529-1533,共5页
报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析了富硅型 Si Nx 膜... 报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析了富硅型 Si Nx 膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响 ,对富硅型 Si Nx 膜的 L PCVD生长工艺进行优化 ,大大降低了膜的张应力 ,无支撑成膜面积可达 4 0 m m× 4 0 mm.通过这一研究结果 ,实现了 L PCVD可控制生长确定张应力的 Si Nx 展开更多
关键词 硅镶嵌微结构 lpcvd 氮化硅 薄膜
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LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射 被引量:6
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作者 刘渝珍 石万全 +7 位作者 刘世祥 姚德成 刘金龙 韩一琴 赵玲莉 孙宝银 叶甜春 陈梦真 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期37-40,共4页
在5.0eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10和1.90eV的六个PL峰,建立了其可见荧光发射的能隙态模型,并初步讨论了其... 在5.0eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10和1.90eV的六个PL峰,建立了其可见荧光发射的能隙态模型,并初步讨论了其发光机制. 展开更多
关键词 lpcvd 氮化硅 薄膜 可见荧光 室温 激光激发
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LPCVD氮化硅薄膜的化学组成 被引量:6
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作者 葛其明 刘学建 +1 位作者 黄智勇 黄莉萍 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期192-195,共4页
分别采用X光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、傅立叶红外光谱(FTIR)以及弹性反冲探测(ERD)等方法,分析了三氯硅烷-氨气-氮气体系低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的化学组成,并利用原子力显微镜(AFM)观察了SiNx薄膜的表面形... 分别采用X光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、傅立叶红外光谱(FTIR)以及弹性反冲探测(ERD)等方法,分析了三氯硅烷-氨气-氮气体系低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的化学组成,并利用原子力显微镜(AFM)观察了SiNx薄膜的表面形貌。XPS分析结果表明,当原料气中氨气与三氯硅烷的流量之比小于3时获得富Si的SiNx薄膜,当流量之比大于4时获得近化学计量的SiNx薄膜(x=1.33)。AES深度分析与XPS分析结果很好地吻合,在835cm-1产生的强红外吸收峰表明Si-N键的形成,ERD分析表明所制备SiNx薄膜中的氢含量很低(1.2at.%)。AFM分析结果表明,所沉积的SiNx薄膜均匀、平整,薄膜的均方根粗糙度RMS仅为0.47nm。 展开更多
关键词 氮化硅 薄膜 化学组成 lpcvd
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PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究 被引量:21
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作者 刘志平 赵谡玲 +2 位作者 徐征 刘金虎 李栋才 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期54-59,共6页
采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度... 采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度为450℃、NH_3/SiH_4=8:1、总气体流量为4320sccm、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75nm、折射率为2.05、少子寿命相对较高的氮化硅膜,且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备,片间膜厚级差在5nm以内,而折射率级差在0.3以内,少子寿命可提高约30%。 展开更多
关键词 PECVD 氮化硅 镀膜工艺 少子寿命
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LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射 被引量:2
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作者 刘渝珍 石万全 +5 位作者 韩一琴 刘世祥 赵玲莉 孙宝银 叶甜春 陈梦真 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期517-520,共4页
在 4.66e V的激光激发下 ,在室温下 LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光 ,其峰位位置分别为 2 .97,2 .77,2 .55,2 .32 ,2 .1 0和 1 .90 e V的 6个 PL峰 ,建立了可见光发射的能隙态模型 。
关键词 lpcvd 光致发光 能隙态模型 氮化硅
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低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨 被引量:14
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作者 王玉林 郑雪帆 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期448-452,共5页
介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积(PECVD)氮化硅薄膜工艺技术,可调控氮化硅薄膜的应力,从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄膜。文中对其机理作了初步的探讨。所生长的氮化硅薄膜的折射率和腐蚀速率没有明显变... 介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积(PECVD)氮化硅薄膜工艺技术,可调控氮化硅薄膜的应力,从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄膜。文中对其机理作了初步的探讨。所生长的氮化硅薄膜的折射率和腐蚀速率没有明显变化,对器件,尤其是对砷化镓异质结器件几乎没有应力损伤。 展开更多
关键词 异质结器件 氮化硅薄膜 工艺 PECVD
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LPCVD氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响 被引量:2
12
作者 陈克铭 李国花 +1 位作者 吕惠云 陈朗星 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第12期721-727,共7页
本文利用共振核反应定量地确定了LPCVD氮化硅敏感膜中,氢原子浓度及其分布.我们不仅证实了在825℃温度下,淀积的氮化硅敏感膜内存在氢原子,而且敏感膜表面所存在氢原子浓度为8—16×10^(21)cm^(-3),它高于敏感膜体内,其体内的氢原... 本文利用共振核反应定量地确定了LPCVD氮化硅敏感膜中,氢原子浓度及其分布.我们不仅证实了在825℃温度下,淀积的氮化硅敏感膜内存在氢原子,而且敏感膜表面所存在氢原子浓度为8—16×10^(21)cm^(-3),它高于敏感膜体内,其体内的氢原子浓度为2-3×10^(21)cm^(-3),而且敏感膜表面氢原子浓度大小与膜表面的制备条件密切相关,同时我们还利用傅利叶交换红外透射吸收光谱,确定了LPCVD氨化硅敏感膜中存在Si-O(1106cm^(-1))N-H(1200cm^(-1)),Si-H(2258cm^(-1))和N-H(3349cm^(-1))的化学键配位结构.敏感膜表面氧的存在严重地影响ISFET的能斯特响应和线性范围,而敏感膜表面的Si-H,N-H和N-Si 的化学键结构存在,有利于改善pH-ISFET 的灵敏度和线性范围. 展开更多
关键词 氮化硅 lpcvd 氢含量 敏感特性
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过渡塑性相工艺制造刚玉-氮化硅质透气砖的研究 被引量:7
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作者 薛文东 孙加林 +1 位作者 洪彦若 钟香崇 《耐火材料》 CAS 北大核心 2003年第4期205-207,共3页
在刚玉 -氮化硅材料中添加 5 %和 1 0 %的金属硅进行塑性相成型 ,成型后在氧化气氛下于1 60 0℃保温 3h烧成。对烧成后材料的常温性能进行分析发现 ,随着金属硅含量的增加 ,试样的显气孔率明显下降 ,耐压强度上升。显微结构分析发现 ,... 在刚玉 -氮化硅材料中添加 5 %和 1 0 %的金属硅进行塑性相成型 ,成型后在氧化气氛下于1 60 0℃保温 3h烧成。对烧成后材料的常温性能进行分析发现 ,随着金属硅含量的增加 ,试样的显气孔率明显下降 ,耐压强度上升。显微结构分析发现 ,烧成后材料的内部仍然有金属硅存在 ,并且金属硅与周围颗粒紧密连结。同时还发现 ,材料内部的氮化硅发生反应生成了氧氮化硅 ,有利于氮化硅材料的烧结 ,提高了材料的性能。 展开更多
关键词 制造工艺 刚玉-氮化硅质透气砖 金属硅 塑性相成型 氮化硅 过渡相饶结 钢水质量
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工艺因素对低压化学气相沉积氮化硅薄膜的影响 被引量:3
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作者 刘学建 金承钰 +2 位作者 黄智勇 蒲锡鹏 黄莉萍 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期986-990,共5页
以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourie... 以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiN_x薄膜的性质,并利用原子力显微镜观察了SiN_x薄膜的微观形貌。在其它工艺条件相同的情况下,SiN_x薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。当R<2时获得富Si的SiN_x薄膜(x<1.33);当R>4时获得近化学计量(z≈1.33)的SiN_x薄膜。 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 生长动力学 性质 工艺
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制备工艺对氮化硅泡沫陶瓷组织和性能的影响 被引量:7
15
作者 林均品 张勇 陈国良 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期24-27,共4页
采用泡沫塑料浸渍法成形、常压烧结法制备出氮化硅骨架体积分数从 15 % 70 %范围的泡沫陶瓷。无包套热等静压处理 (HIP)可以明显提高泡沫陶瓷筋的致密度 ,其原理为HIP压力促进了烧结残余α氮化硅向 β氮化硅的转变 ,从而提高了氮化硅中... 采用泡沫塑料浸渍法成形、常压烧结法制备出氮化硅骨架体积分数从 15 % 70 %范围的泡沫陶瓷。无包套热等静压处理 (HIP)可以明显提高泡沫陶瓷筋的致密度 ,其原理为HIP压力促进了烧结残余α氮化硅向 β氮化硅的转变 ,从而提高了氮化硅中原子的扩散活性。 展开更多
关键词 氮化硅 泡沫陶瓷 烧结 致密度 制备工艺 复合材料
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高固含量氮化硅浆料的制备工艺 被引量:7
16
作者 刘学健 黄莉萍 +1 位作者 符锡仁 古宏晨 《陶瓷学报》 CAS 1999年第1期1-4,共4页
本文通过沉降、Zeta电位的测定以及流变测量的方法研究了制备高固体含量氮化硅浆料的工艺条件,结果发现:Si3N4悬浮粒子的等电点在pH=4.2,其最大的Zeta电位在pH=11附近。分散剂的引入有效地提高悬浮粒子的Z... 本文通过沉降、Zeta电位的测定以及流变测量的方法研究了制备高固体含量氮化硅浆料的工艺条件,结果发现:Si3N4悬浮粒子的等电点在pH=4.2,其最大的Zeta电位在pH=11附近。分散剂的引入有效地提高悬浮粒子的Zeta电位,改善浆料的分散性,最佳分散剂用量在1.0-1.2wt%之间。并且,最佳分散剂的用量不随浆料固含量的变化而改变。球磨8h已能获得较好的流动性,进一步延长球磨时间并不能有效的改善浆料的流动性,过长时间的球磨反而不利于浆料的流动。 展开更多
关键词 氮化硅 浆料 制备 工艺 陶瓷
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逆反应烧结制备碳化硅/氮化硅复合材料的工艺 被引量:13
17
作者 吴宏鹏 洪彦若 孙家林 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期1-6,共6页
制备Si3N4/SiC复合材料的常规反应烧结是以Si和SiC为原料进行氮化烧结,而逆反应烧结是以Si3N4和SiC为原料,首先使Si3N4反向反应为活性氧化物后再进行烧结。建立逆反应烧结工艺制备Si3N4/SiC复合材料的热力学基础。确定了Si3N4先于SiC氧... 制备Si3N4/SiC复合材料的常规反应烧结是以Si和SiC为原料进行氮化烧结,而逆反应烧结是以Si3N4和SiC为原料,首先使Si3N4反向反应为活性氧化物后再进行烧结。建立逆反应烧结工艺制备Si3N4/SiC复合材料的热力学基础。确定了Si3N4先于SiC氧化;氧化产物可以是SiO2,也可以是Si2N2O;形成的SiO2氧化膜不会与基体材料反应;在膜与基体之间可能生成Si2N2O。论证了逆反应烧结的热力学可行性。通过6个烧结实验,证实了其热力学分析的正确性,并从工艺参数与密度变化、残氮率和比强度等关系筛选出最佳的烧结工艺参数。 展开更多
关键词 氮化硅/碳化硅复合材料 逆反应烧结 热力学 工艺基础
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基于正交试验的PECVD法沉积氮化硅薄膜工艺参数优化研究 被引量:5
18
作者 吴晓松 褚学宁 李玉鹏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期1913-1920,共8页
利用多响应正交试验方法研究了PECVD法沉积氮化硅薄膜的工艺参数的优化问题。鉴于目前针对多输出影响过程,尚无有效的方法进行工艺参数优化这一问题,利用综合评分法对衬底温度、气体总流量、NH3/SiH4流量比、反应腔气体压力、高频电场功... 利用多响应正交试验方法研究了PECVD法沉积氮化硅薄膜的工艺参数的优化问题。鉴于目前针对多输出影响过程,尚无有效的方法进行工艺参数优化这一问题,利用综合评分法对衬底温度、气体总流量、NH3/SiH4流量比、反应腔气体压力、高频电场功率5个对氮化硅薄膜的主要质量特性影响较大的工艺参数进行全局优化,再对不满足质量期望的工艺参数进行部分正交分析,对全局优化的结果进行调整,得到最终的氮化硅镀膜的最优工艺参数。国内某光伏企业的验证试验表明了所提方法的有效性。 展开更多
关键词 PECVD 氮化硅薄膜 正交试验 工艺参数
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氮化硅粉体的行星式球磨工艺研究 被引量:15
19
作者 黄智勇 王翔 +3 位作者 刘学建 黄莉萍 张培志 陈晓阳 《陶瓷科学与艺术》 CAS 2003年第6期21-25,共5页
主要研究了各种球磨工艺参数在行星式球磨过程中对粉料的粒度及形貌的影响。由于超细粉碎过程中特有的团聚现象,当颗粒尺寸达到极限值时,进一步延长球磨时间,反而使球磨的效果变差,降低球磨效率。通过对氮化硅粉体行星球磨过程的分析,... 主要研究了各种球磨工艺参数在行星式球磨过程中对粉料的粒度及形貌的影响。由于超细粉碎过程中特有的团聚现象,当颗粒尺寸达到极限值时,进一步延长球磨时间,反而使球磨的效果变差,降低球磨效率。通过对氮化硅粉体行星球磨过程的分析,研究了不同球磨工艺参数(如料球比、球磨转数、球磨时间等)对氮化硅粉料球磨效果的影响,从而优化行星球磨工艺参数。 展开更多
关键词 氮化硅 粉体 行星式球磨 工艺参数 高能球磨
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PECVD氮化硅薄膜工艺参数研究 被引量:3
20
作者 张树明 廖华 +3 位作者 何京鸿 尹云坤 胡俊涛 罗群 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2011年第5期28-32,共5页
根据太阳电池组件的结构和封装材料特性,设计出硅太阳电池片减反射薄膜的最佳厚度和折射率,利用泰勒公式进行优化PECVD制备氮化硅薄膜的工艺参数。通过实验,找出适合中电48所工业生产用管式PECVD制备氮化硅薄膜的工艺参数。
关键词 PECVD氮化硅减反射膜 工艺参数 优化
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