高纯VPE-GaAs、LPE-GaAs的电学性质

用Van der Pauw法测量高纯VPE-GaAs和LPE-GaAs样品在20—300K温度范围内的电学性质,分析了它们的电子散射机理.最纯的VPE-GaAs样品峰值迁移率高达3.76×10~5cm^2/V·s,LPE-GaAs样品的峰值迁移率为2.54×10~5Cm^3/V·s.这两个样品的总离化杂质浓度分别为 7.7 × 10^(13)cm^(-3)和 1.55 ×10^(14)cm^(-3).

LPE-GaAs表面形成弯月线原因的探讨

本义介绍了在LPE-GaAs表面出现的弯月线受片子脱离生长液的速度、方向、温度、气氛中的砷分压以及衬底和液槽框底之间的间隙的影响.根据这些现象,提出了形成弯月线的原因——“半周线瞬时局部回溶”的设想.用它能解释有关的实验现象.

LPE-GaAs掺Er的研究

本文采用液相外延(LPE)法研究在GaAs中掺鼯土元素Er的外延生长,并对外延层的质量及光荧光等测量结果进行讨论。