退火对提拉法生长Lu_2Si_2O_7∶Ce晶体闪烁性能的影响

Lu2Si2O7:Ce(LPS:Ce)表现出较高的光输出,平均值约26000photons/MeV(简写为ph/MeV),但通过提拉法获得的晶体发光效率很低.实验对LPS:Ce晶体进行了不同气氛下的退火,研究退火条件对LPS:Ce的发光效率等闪烁性能的影响.发现在Ar气氛下退火对LPS:Ce发光效率的提高没有作用,在空气气氛下退火后可显著提高LPS:Ce的发光效率.通过不同退火工艺的比较,确定了提高LPS:Ce发光效率的最佳退火制度:空气气氛下,退火温度1400℃,退火时间根据样品的大小决定,样品越大,需要的退火时间越长.同时讨论了退火过程中,LPS:Ce吸收谱和UV-ray激发发射谱的变化趋势.