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LP-MOCVD生长InGaAlP外延层中In并入效率的研究
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作者 文尚胜 范广涵 +1 位作者 廖常俊 刘颂豪 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期45-48,共4页
分析了In原子在InGaAlP外延生长表面的扩散、并入及脱附过程 ,给出了In并入外延层的效率表达式 .依据该表达式 ,解释了生长速率、生长温度及生长压力等生长参数对LP_MOCVD生长InGaAlP外延层中In组分的影响 .
关键词 低压金属有机化合物气相外延 并入效率 In组分 LP-MOCVD INGAALP
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