倒芯片互连用的高密度积层封装基板——DSOL技术

概述了NEC开发的新型高密度封装用积层基板技术:DSOL,它以高解像度的勿系树脂为绝缘层,形成高膜厚/孔径比的微细导通孔,采用溅射薄膜和半家成镀工艺形成微细铜导体,适用于多针数区域阵列倒芯片封装用基板。

高纯低放射性球形硅微粉的制备与性能

首先将超细硅微粉中的铀(U6+)元素分散在酸性浆料中;然后使用SiO2气凝胶和蜂窝陶瓷复合介孔吸附装置对其进行吸附完成材料精选与提纯,使超细硅微粉中的铀(U)元素总量降低;最后在无污染后加工技术的基础上,采用火焰熔融法球形化后获得高纯低放射性球形硅微粉。实验结果表明,通过材料精选与提纯,超细硅微粉中的铀(U)含量(质量分数)可以从9.7×10^-9降至6×10^-10,最终获得的高纯低放射性球形硅微粉的铀(U)含量为7×10^-10。制备的硅微粉具有高球形度、粒度分布窄且可控等特点,应用时表现出流动性好、黏度低、粗粒含量少(溢料长)等理想效果,满足大规模集成电路(LSI)封装对高纯低放射性球形硅微粉填料的要求。