低温砷化镓的外延lift-off和范德华贴附研究

研究了低温砷化镓的外延lift-off和基于范德华力在石英新衬底上贴附的实验方法：腐蚀掉100nm厚的AlAs牺牲层，将外延生长的500nm厚的低温砷化镓（LT-GaAs）从生长衬底上揭下（lift-off），借助于范德华力将LT-GaAs外延膜贴附在新衬底上。Lift—off之前在LT-GaAs表面上滴附黑蜡，以增强在lift-off过程中对LT-GaAs的保护，和加快反应气体扩散离开反应区的过程。针对500nm厚的LT-GaAs外延薄膜的揭起和贴附，给出了低温砷化镓的最佳lift-off尺寸和提高范德华力贴附质量的实验技术。此外还给出了利用所得到的lift-off后的LT-GaAs制备的共平面条形结构光导开关的时间特性：上升时间小于1．5ps，FWHM小于2ps。